[發明專利]一種QLED器件的制備方法

在審

• 申請號: 201711459198.X
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109980103A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然;李龍基
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開了一種QLED器件的制備方法，包括步驟：提供第一基底，所述第一基底的上表面具有若干凹槽和/或凸起，在所述第一基底上沉積第一電極，在所述第一電極上沉積第一量子點發光層，得到第一結構；提供第二基底，所述第二基底的上表面具有與第一基底上的結構相配合的若干凹槽和/或凸起，在所述第二基底上沉積第二電極，在所述第二電極上沉積第二量子點發光層，得到第二結構；將所述凸起插入凹槽內并使所述第二結構與第一結構結合，得到QLED器件。本發明方法所制備得到的QLED器件的量子點發光層未電極或其他功能層制備過程的影響，具有較好的發光效率。

技術領域

本發明涉及量子點發光二極管技術領域，尤其涉及一種QLED器件的制備方法。

背景技術

量子點是一種在三個維度尺寸上均被限制在納米數量級的特殊材料，這種顯著的量子限域效應使得量子點具有了諸多獨特的納米性質：發射波長連續可調、發光波長窄、吸收光譜寬、發光強度高、熒光壽命長以及生物相容性好等。由量子點所制備的量子點發光二極管（QLED器件）具有窄的FWHM（半高峰寬）、顏色可調和可溶液法制備等優異的特點使其成為了下一代顯示科技的候選。不同的研究者從不同的角度來來研究QLED器件，其中包括量子點發光層（QDs）、空穴傳輸層（HTL）、空穴注入層（ETL）和電極的研究，以及對器件的結構、性能和穩定性的研究，使得器件的性能在逐漸的提高，而現有的高性能的QLED器件大多都是底發射（也即正型QLED器件），而真正適合屏幕應用需要使用反型QLED的器件結構，因為反型QLED結構具有可以與n-溝道的型的TFT晶體管背板直接連接等諸多優勢。

但是目前的文獻中報道的QLED器件，無論是正型器件結構或者反型器件結構，在沉積完量子點發光層后，還需要在量子點發光層上沉積其他功能層或電極，其沉積過程往往是以溶液法進行，而溶液法中所使用的溶劑在溶解功能材料或電極材料的同時也可以溶解QD，所以在使用全溶液的方法制備上述QLED器件時，避免不了會對QDs層造成影響，甚至可以將QD層全部沖刷掉，進而降低了器件的發光效率；這種實驗現象也與文獻中的報道的實驗結論是吻合的。

因此，現有技術還有待改進。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種QLED器件的制備方法，旨在解決現有方法制備QLED器件時容易損害量子點發光層，造成所制備的QLED器件發光效率不佳的問題。

本發明的技術方案如下：

一種QLED器件的制備方法，其中，包括步驟：

提供第一基底，所述第一基底的上表面具有若干凹槽和/或凸起，在所述第一基底上沉積第一電極，在所述第一電極上沉積第一量子點發光層，得到第一結構；

提供第二基底，所述第二基底的上表面具有與第一基底上的結構相配合的若干凸起和/或凹槽，在所述第二基底上沉積第二電極，在所述第二電極上沉積第二量子點發光層，得到第二結構；

將所述凸起插入所述凹槽內并使所述第二結構與第一結構結合，得到QLED器件。

所述的QLED器件的制備方法，其中，在所述第一基底上沉積第一電極之后，在所述第一電極上沉積第一量子點發光層之前，還包括步驟：在所述第一電極上沉積第一功能層。

所述的QLED器件的制備方法，其中，在所述第二基底上沉積第二電極之后，在所述第二電極上沉積第二量子點發光層之前，還包括步驟：在所述第二電極上沉積第二功能層。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述凸起與所述凹槽相匹配。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述凹槽的截面積大于所述凸起的截面積。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述步驟將所述凸起插入凹槽內并使所述第二結構與第一結構結合，包括：