[發(fā)明專利]一種QLED器件的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711459198.X
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN109980103A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王宇;曹蔚然;李龍基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發(fā)明公開了一種QLED器件的制備方法，包括步驟：提供第一基底，所述第一基底的上表面具有若干凹槽和/或凸起，在所述第一基底上沉積第一電極，在所述第一電極上沉積第一量子點(diǎn)發(fā)光層，得到第一結(jié)構(gòu)；提供第二基底，所述第二基底的上表面具有與第一基底上的結(jié)構(gòu)相配合的若干凹槽和/或凸起，在所述第二基底上沉積第二電極，在所述第二電極上沉積第二量子點(diǎn)發(fā)光層，得到第二結(jié)構(gòu)；將所述凸起插入凹槽內(nèi)并使所述第二結(jié)構(gòu)與第一結(jié)構(gòu)結(jié)合，得到QLED器件。本發(fā)明方法所制備得到的QLED器件的量子點(diǎn)發(fā)光層未電極或其他功能層制備過程的影響，具有較好的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及量子點(diǎn)發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種QLED器件的制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)是一種在三個(gè)維度尺寸上均被限制在納米數(shù)量級(jí)的特殊材料，這種顯著的量子限域效應(yīng)使得量子點(diǎn)具有了諸多獨(dú)特的納米性質(zhì)：發(fā)射波長連續(xù)可調(diào)、發(fā)光波長窄、吸收光譜寬、發(fā)光強(qiáng)度高、熒光壽命長以及生物相容性好等。由量子點(diǎn)所制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED器件）具有窄的FWHM（半高峰寬）、顏色可調(diào)和可溶液法制備等優(yōu)異的特點(diǎn)使其成為了下一代顯示科技的候選。不同的研究者從不同的角度來來研究QLED器件，其中包括量子點(diǎn)發(fā)光層（QDs）、空穴傳輸層（HTL）、空穴注入層（ETL）和電極的研究，以及對(duì)器件的結(jié)構(gòu)、性能和穩(wěn)定性的研究，使得器件的性能在逐漸的提高，而現(xiàn)有的高性能的QLED器件大多都是底發(fā)射（也即正型QLED器件），而真正適合屏幕應(yīng)用需要使用反型QLED的器件結(jié)構(gòu)，因?yàn)榉葱蚎LED結(jié)構(gòu)具有可以與n-溝道的型的TFT晶體管背板直接連接等諸多優(yōu)勢。

但是目前的文獻(xiàn)中報(bào)道的QLED器件，無論是正型器件結(jié)構(gòu)或者反型器件結(jié)構(gòu)，在沉積完量子點(diǎn)發(fā)光層后，還需要在量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積其他功能層或電極，其沉積過程往往是以溶液法進(jìn)行，而溶液法中所使用的溶劑在溶解功能材料或電極材料的同時(shí)也可以溶解QD，所以在使用全溶液的方法制備上述QLED器件時(shí)，避免不了會(huì)對(duì)QDs層造成影響，甚至可以將QD層全部沖刷掉，進(jìn)而降低了器件的發(fā)光效率；這種實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象也與文獻(xiàn)中的報(bào)道的實(shí)驗(yàn)結(jié)論是吻合的。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種QLED器件的制備方法，旨在解決現(xiàn)有方法制備QLED器件時(shí)容易損害量子點(diǎn)發(fā)光層，造成所制備的QLED器件發(fā)光效率不佳的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種QLED器件的制備方法，其中，包括步驟：

提供第一基底，所述第一基底的上表面具有若干凹槽和/或凸起，在所述第一基底上沉積第一電極，在所述第一電極上沉積第一量子點(diǎn)發(fā)光層，得到第一結(jié)構(gòu)；

提供第二基底，所述第二基底的上表面具有與第一基底上的結(jié)構(gòu)相配合的若干凸起和/或凹槽，在所述第二基底上沉積第二電極，在所述第二電極上沉積第二量子點(diǎn)發(fā)光層，得到第二結(jié)構(gòu)；

將所述凸起插入所述凹槽內(nèi)并使所述第二結(jié)構(gòu)與第一結(jié)構(gòu)結(jié)合，得到QLED器件。

所述的QLED器件的制備方法，其中，在所述第一基底上沉積第一電極之后，在所述第一電極上沉積第一量子點(diǎn)發(fā)光層之前，還包括步驟：在所述第一電極上沉積第一功能層。

所述的QLED器件的制備方法，其中，在所述第二基底上沉積第二電極之后，在所述第二電極上沉積第二量子點(diǎn)發(fā)光層之前，還包括步驟：在所述第二電極上沉積第二功能層。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述凸起與所述凹槽相匹配。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述凹槽的截面積大于所述凸起的截面積。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述步驟將所述凸起插入凹槽內(nèi)并使所述第二結(jié)構(gòu)與第一結(jié)構(gòu)結(jié)合，包括：