[發(fā)明專利]一種QLED器件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711459198.X
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109980103A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王宇;曹蔚然;李龍基
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供第一基底，所述第一基底的上表面具有若干凹槽和/或凸起，在所述第一基底上沉積第一電極，在所述第一電極上沉積第一量子點(diǎn)發(fā)光層，得到第一結(jié)構(gòu)；

提供第二基底，所述第二基底的上表面具有與第一基底上的結(jié)構(gòu)相配合的若干凸起和/或凹槽，在所述第二基底上沉積第二電極，在所述第二電極上沉積第二量子點(diǎn)發(fā)光層，得到第二結(jié)構(gòu)；

將所述凸起插入所述凹槽內(nèi)并使所述第二結(jié)構(gòu)與第一結(jié)構(gòu)結(jié)合，得到QLED器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，在所述第一基底上沉積第一電極之后，在所述第一電極上沉積第一量子點(diǎn)發(fā)光層之前，還包括步驟：在所述第一電極上沉積第一功能層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，在所述第二基底上沉積第二電極之后，在所述第二電極上沉積第二量子點(diǎn)發(fā)光層之前，還包括步驟：在所述第二電極上沉積第二功能層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述凸起與所述凹槽相匹配。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述凹槽的截面積大于所述凸起的截面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述步驟將所述凸起插入所述凹槽內(nèi)并使所述第二結(jié)構(gòu)與第一結(jié)構(gòu)結(jié)合，包括：

在所述凹槽內(nèi)加入固化膠，然后將所述凸起插入所述凹槽內(nèi)，紫外加熱固化，將所述第二結(jié)構(gòu)與第一結(jié)構(gòu)結(jié)合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述第一電極和/或第二電極為透明電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述所述凸起的寬度為0.1~0.5mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述凸起的中心距離第一量子點(diǎn)層的邊界或第二量子點(diǎn)發(fā)光層的邊界最近距離為0.1~0.5cm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，沉積第一量子點(diǎn)發(fā)光層所用的材料與沉積第二量子點(diǎn)發(fā)光層所用的材料相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層和第二量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為紅光量子點(diǎn)、綠光量子點(diǎn)、藍(lán)光量子點(diǎn)、黃光量子點(diǎn)、紅外光量子點(diǎn)和紫外光量子點(diǎn)中的一種或多種。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述凹槽及凸起均勻間隔設(shè)置。