[發明專利]真空腔室和真空腔室的門的上鎖方法有效
| 申請號: | 201711458470.2 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN108257892B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發明(設計)人: | 富田尚宏;伊藤毅;淺川正人;末木英人 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 空腔 上鎖 方法 | ||
本發明提供一種真空腔室和真空腔室的門的上鎖方法,進一步提高在FPD等的制造裝置的內部工作的操作者的安全性。搬送腔室(10)包括容器、頂板(13)、排氣裝置(41)、門(32)、電磁鎖和控制裝置(51)。容器具有收納被處理基板的空間,在上部具有上部開口。頂板(13)開閉上部開口。排氣裝置(41)對容器內進行排氣。門(32)設置在容器的側面,操作者進入容器內時被打開。電磁鎖對門(32)進行上鎖和解鎖。控制裝置(51)控制電磁鎖,使其以頂板(13)被打開且阻礙頂板(13)封閉上部開口的止擋件已安裝在上部開口為條件將門(32)解鎖。
技術領域
本發明的各個方面和實施方式涉及真空腔室和真空腔室的門的上鎖方法。
背景技術
已知使容器的內部為真空狀態,利用導入容器內的處理氣體等,對配置在容器內的被處理基板實施規定的處理來制造半導體器件的裝置。另外,近年來,為了抑制半導體器件的制造成本,具有被處理基板大型化的趨勢。由此,半導體器件的制造裝置也正在大型化。
當半導體器件的制造裝置大型化時,在進行裝置內部的維護的情況下,有時操作者進入裝置內進行工作更有效率。已知在操作者進入裝置內進行工作的情況下,為了確保操作者的安全,在裝置內部的氧濃度達到規定的值以上時,將用于進入裝置內部的門解鎖的技術。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2009-194358號公報
發明內容
發明想要解決的技術問題
在半導體器件的制造裝置中,操作者能夠進入裝置內部,但是,工作中的操作者能夠從進入口看到裝置內的情況較多。因此,沒有注意到操作者留在裝置內而進入口的門被關閉的情況較少。但是,制造平板顯示器(FPD)基板等的裝置,與制造半導體器件的裝置相比是大型的。另外,近年來,FPD的尺寸也具有大型化的趨勢,FPD的制造裝置也具有大型化的趨勢。因此,存在在FPD的制造裝置的內部進行工作的操作者無法從進入口看到裝置內的情況。因此,有時沒有注意到操作者留在裝置內而進入口的門被關閉。所以,如FPD的制造裝置那樣的大型的裝置中,要求進一步的安全對策。
本發明的一個方面包括容器、蓋、排氣裝置、門、上鎖部和控制裝置。容器具有收納被處理基板的空間,在上部具有開口部。蓋用于開閉開口部。排氣裝置對容器內進行排氣。門設置在容器的側面,在操作者進入到容器內時打開。上鎖部對門進行上鎖和解鎖。控制裝置控制上鎖部,使得該上鎖部以蓋開放且阻礙蓋封閉開口部的介入部件已安裝在開口部為條件對門進行解鎖。
發明效果
根據本發明的各個方面和實施方式,能夠進一步提高在FPD等的制造裝置的內部進行工作的操作者的安全性。
附圖說明
圖1是表示搬送腔室的一個例子的立體圖。
圖2是表示頂板開放了的狀態的搬送腔室的一個例子的分解立體圖。
圖3是表示安裝著止擋件的位置附近的凸緣的一個例子的放大截面圖。
圖4是表示安裝了止擋件的狀態的凸緣的一個例子的放大截面圖。
圖5是表示門附近的箱體的一個例子的放大圖。
圖6是表示鎖定部和突出部的詳細的一個例子的圖。
圖7是表示門的桿被鎖定的狀態的一個例子的圖。
圖8是表示門的桿被鎖定的狀態的一個例子的截面圖。
圖9是表示面向搬送腔室的外側一側的門的一個例子的圖。
圖10是表示面向搬送腔室的內側一側的門的一個例子的圖。
圖11是表示門的一個例子的分解立體圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711458470.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





