[發明專利]半導體器件及其制造方法及包括該器件的電子設備

有效

• 申請號: 201711452736.2
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108198815B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

在襯底上形成的豎直有源區，包括沿豎直方向依次設置的第一源/漏區、溝道區和第二源/漏區；

繞溝道區的外周形成的柵堆疊；

第二源/漏區上方到第二源/漏區的第一接觸部，其中，第一接觸部外周與第二源/漏區外周對準；

其中第一接觸部自對準于第二源/漏區；

其中，第一源/漏區包括延伸超出其上方的有源區部分的橫向延伸部分，

該半導體器件還包括：第一源/漏區的橫向延伸部分上方到第一源/漏區的第二接觸部，

其中，第二接觸部包括依次疊置在襯底上且在豎直方向上彼此對準的第一部分和第二部分，

其中，第一部分包括低電阻的半導體材料和/或金屬半導體化合物。

2. 根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

第一接觸部的外周與第二源/漏區的外周重合；或者

該半導體器件還包括在第二源/漏區的表面上形成的金屬半導體化合物層，其中，第一接觸部的外周與第二源/漏區的表面上形成的金屬半導體化合物層的外周重合。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第一接觸部和/或第二接觸部包含金屬Cu、Co、W、Ru及其組合。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

第二接觸部的第二部分包括與第一接觸部相同的材料，且與第一接觸部在豎直方向上的厚度相同，第二接觸部的第一部分包括半導體材料和/或金屬半導體化合物材料。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，

所述第二接觸部的第一部分包括的所述半導體材料中的元素至少部分與所述第一源/漏區或溝道區或第二源/漏區中的部分半導體元素相同。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，第二接觸部還包括包圍第一部分和第二部分外周的金屬層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述包圍第二接觸部的第一部分和第二部分外周的金屬層包含金屬Cu、Co、W、Ru或其中任意幾個的組合。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

到柵堆疊中的柵導體層的第三接觸部。

9. 根據權利要求8所述的半導體器件，其中，

第三接觸部與柵導體層是一體的；或者

第三接觸部包括與第一接觸部相同的材料。

10.一種半導體器件，其包括：

襯底；

在襯底上形成的豎直有源區，包括沿豎直方向依次設置的第一源/漏區、溝道區和第二源/漏區；

繞溝道區的外周形成的柵堆疊；

在柵堆疊上方且在有源區的側壁形成的隔離墻；

在柵堆疊上方且在隔離墻側壁上形成的自對準金屬接觸部。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括在所述自對準金屬接觸部上方形成的與所述自對準金屬觸部自對準的第三接觸部。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，還包括在柵堆疊上方且在隔離墻的側壁保形地形成的擴散阻擋層；

在擴散阻擋層上方保形地形成的金屬接觸層；

在金屬接觸層的側壁保形地形成的薄電介質層；

由擴散阻擋層和金屬接觸層形成的自對準金屬觸部；

在自對準金屬觸部上形成的與自對準金屬觸部自對準的第三接觸部。

13.根據權利要求10或11所述的半導體器件，其中，自對準金屬觸部和/或第三接觸部包含金屬Cu、Co、W、Ru及其中任意幾個的組合。