[發明專利]一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法在審
| 申請號: | 201711450070.7 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108172514A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 古進;遲鴻燕;張麗;壽強亮;吳王進;黃玉恒 | 申請(專利權)人: | 中國振華集團永光電子有限公司(國營第八三七廠) |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 貴陽睿騰知識產權代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷慶紅 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 玻璃鈍化 表貼 瞬態電壓抑制二極管 瞬態功率 鈍化 芯片 焊料 二極管技術 產品表面 電極引線 電極組件 封裝玻璃 封裝成型 焊料熔焊 市場推廣 蒸發金屬 電極片 硅片 粉漿 化層 鍵合 鏈式 裂片 涂覆 軸向 焊接 成型 切除 制造 清洗 腐蝕 擴散 | ||
本發明涉及二極管技術領域,具體涉及一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法;包括以下步驟:將擴散蒸發金屬化層的硅片通過裂片的方式獲得規定尺寸的芯片;將電極引線與芯片之間通過焊料熔焊鍵合;將電極組件通過腐蝕、清洗、鈍化后在產品表面涂覆鈍化封裝玻璃粉漿,鏈式高溫下成型,完成封裝成型;將軸向產品與電極片通過特制焊料在高溫下進行焊接,切除引線后實現玻璃鈍化表貼封裝;本發明具有較寬的工作溫度,能在極限溫度下穩定工作,相同外形尺寸下可提升80%左右的瞬態功率,使產品在較小的封裝尺寸下具有較大的瞬態功率,具有較高的市場推廣價值。
技術領域
本發明涉及二極管技術領域,具體涉及一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法。
背景技術
隨著高端整機用戶配套工程向小型化、集成化、高密度化的發展趨勢,用戶對高可靠表貼器件的使用量增加,二極管的使用也日趨普及,瞬態電壓抑制二極管是一種穩壓二極管形式的高效瞬態電壓保護器件,當瞬態抑制二極管受到反向瞬態高能量沖擊時,其工作阻抗能立即降至很低的導通值,從而吸收較大的浪涌脈沖功率,并將電壓箝制到預定水平,有效地保護電子線路中的精密關鍵元器件,避免高壓浪涌脈沖對器件造成損壞,因此瞬態吸收功率是此類器件的重要技術指標。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供了一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法。
本發明通過以下技術方案得以實現。
一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法,包括以下步驟:
(1)將擴散蒸發金屬化層的硅片通過裂片的方式獲得規定尺寸的芯片;
(2)將電極引線與芯片之間通過焊料熔焊鍵合;
(3)將電極組件通過腐蝕、清洗、鈍化后在產品表面涂覆鈍化封裝玻璃粉漿,鏈式高溫下成型,完成封裝成型;
(4)將軸向產品與電極片通過特制焊料在高溫下進行焊接,切除引線后實現玻璃鈍化表貼封裝。
所述的電極引線為鎢。
所述的焊料為鋁。
所述封裝,采用貼片式封裝。
所述瞬態電壓抑制二極管,為U型表貼封裝結構。
進一步,單向吸收瞬態功率采用單顆管芯實現,雙向吸收瞬態功率采用兩個管芯實現。
綜上所述,本發明有益效果在于:本發明采用U型玻璃鈍化表貼封裝,相對于傳統的軸向器件而言,具有更易于安裝的特點,同時采用玻璃鈍化封裝,具有較寬的工作溫度,能在極限溫度下穩定工作,在電極材料的選取上,采用鎢電極代替傳統的鉬電極作為電極材料,由于鉬的散熱能力較差,采用鉬電極制造的器件瞬態功率不高,而金屬鎢的散熱能力明顯優于鉬,采用鎢電極制造的玻璃鈍化瞬態電壓抑制二極管,可以大幅提升器件的瞬態功率,相同外形尺寸下可提升 80%左右的瞬態功率,使產品在較小的封裝尺寸下具有較大的瞬態功率,具有較高的市場推廣價值。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1:玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管結構圖;
具體實施方式
下面對本發明的優選實施例進行詳細闡述,以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態電壓抑制二極管的制造方法,包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





