[發(fā)明專利]一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711450070.7 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108172514A | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 古進;遲鴻燕;張麗;壽強亮;吳王進;黃玉恒 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八三七廠） |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 貴陽睿騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷慶紅 |
| 地址： | 550018 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 玻璃鈍化 表貼 瞬態(tài)電壓抑制二極管 瞬態(tài)功率 鈍化 芯片 焊料 二極管技術(shù) 產(chǎn)品表面 電極引線 電極組件 封裝玻璃 封裝成型 焊料熔焊 市場推廣 蒸發(fā)金屬 電極片 硅片 粉漿 化層 鍵合 鏈式 裂片 涂覆 軸向 焊接 成型 切除 制造 清洗 腐蝕 擴散 | ||
1.一種玻璃鈍化表貼封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將擴散蒸發(fā)金屬化層的硅片通過裂片的方式獲得規(guī)定尺寸的芯片；
(2)將電極引線與芯片之間通過焊料熔焊鍵合；
(3)將電極組件通過腐蝕、清洗、鈍化后在產(chǎn)品表面涂覆鈍化封裝玻璃粉漿，鏈式高溫下成型，完成封裝成型；
(4)將軸向產(chǎn)品與電極片通過特制焊料在高溫下進行焊接，切除引線后實現(xiàn)玻璃鈍化表貼封裝。
2.如權(quán)利要求1所述的玻璃鈍化表貼封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述的電極引線為鎢。
3.如權(quán)利要求1所述的玻璃鈍化表貼封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述的焊料為鋁。
4.如權(quán)利要求1所述的玻璃鈍化表貼封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述封裝，采用貼片式封裝。
5.如權(quán)利要求1所述的玻璃鈍化表貼封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述瞬態(tài)電壓抑制二極管，為U型表貼封裝結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
