[發明專利]一種Nand flash元件及其低格控制方法和裝置

有效

• 申請號: 201711449645.3
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108231124B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 莊開鋒
• 申請（專利權）人: 西安格易安創集成電路有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/42
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明實施例提供了一種Nand flash元件及其低格控制方法和裝置，該Nand flash元件具體包括一個封裝體，封裝體內封裝有Nand flash內核和內部控制器，內部控制器包括低格模塊。該內部控制器用于對Nand flash內核進行讀操作、寫操作、擦除操作、ECC校驗管理、壞塊管理、地址映射管理或損耗均衡管理，這樣一來也就無需通過片外的主控制器實現上述管理，從而有效解決了主控制器負擔較重的問題。

技術領域

本發明涉及內存技術領域，特別是涉及一種Nand flash元件及其低格控制方法和裝置。

背景技術

Nand flash是flash存儲器的一種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand flash有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

Nand flash的數據是以bit的方式保存在memory cell中，一般來說，每個cell中只能存儲一個bit；這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些bit line再組成Page，根據廠商或型號的不同，每頁的bit line數也不同；多個page形成一個Block，例如32個page。具體一片Nandflash上有多少個Block視需要所定。

Nand flash需要控制器管理其功能，例如ECC校驗、壞塊管理、地址映射、損耗均衡等，然而一般的Nand flash在其封裝體內均沒有設置相應的內部控制器，因此，上述對其功能的管理均依賴相應的主控制器去實現，從而增加了相應主控制器的負擔。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種Nand flash元件及其低格控制方法和裝置，以解決Nand flash元件因需要依賴主控制器對其進行管理而導致主控制器負擔較重的問題。

為了解決上述問題，本發明公開了一種Nand flash元件，包括一個封裝體，所述封裝體內封裝有Nand flash內核和內部控制器，其中：

所述內部控制器用于對所述Nand flash內核進行ECC校驗管理、壞塊管理、地址映射管理或損耗均衡管理；

所述低格模塊用于根據上位機發送的低格控制程序對所述Nand flash內核進行低級格式化操作。

另外，本發明還提供了一種低格控制方法，應用于如上所述的Nand flash元件的低格模塊，所述低格控制方法包括步驟：

檢測所述Nand flash元件的封裝體內有多少個Nand flash內核；

從所述Nand flash內核中進行壞塊檢查；

對所述Nand flash內核進行塊管理，并生成地址映射表；

從上位機接收所述Nand flash元件的產品固件，并保存在所述Nand flash內核中；

保存所述Nand flash的映射表和所述上位機發送的配置信息。

可選的，所述對所有所述Nand flash內核進行壞塊檢查，包括：

對所述Nand flash內核中所有的塊進行檢查；

將檢查到的壞塊的塊物理地址加入到壞塊表。

可選的，所述對所述Nand flash內核進行塊管理，包括：

對壞塊之外的所有塊進行分配，分配出用戶區和管理區，所述管理區中包括空閑塊；