[發(fā)明專利]一種Nand flash元件及其低格控制方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711449645.3 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108231124B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 莊開鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12;G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市高新區(qū)天谷*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 nand flash 元件 及其 低格 控制 方法 裝置 | ||
1.一種Nand flash元件,其特征在于,包括一個封裝體,所述封裝體內(nèi)封裝有Nandflash內(nèi)核和內(nèi)部控制器,所述內(nèi)部控制器包括基礎(chǔ)配置模塊、基礎(chǔ)加載模塊、低格模塊和產(chǎn)品固件模塊,其中:
所述基礎(chǔ)配置模塊用于存儲所述Nand flash內(nèi)核的基礎(chǔ)信息和配置信息;
所述基礎(chǔ)加載模塊用于接收上位機發(fā)送的數(shù)據(jù)信息和控制信息,并將產(chǎn)品固件加載到RAM中;
所述低格模塊用于根據(jù)上位機發(fā)送的低格控制程序?qū)λ鯪and flash內(nèi)核進行低級格式化操作;
所述產(chǎn)品固件模塊用于根據(jù)上位機發(fā)送的數(shù)據(jù)信息和控制信息,對Nand flash內(nèi)核進行讀操作、寫操作、擦除操作、ECC校驗管理、壞塊管理、地址映射管理和損耗均衡管理。
2.一種低格控制方法,應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的Nand flash元件的低格模塊,其特征在于,所述低格控制方法包括步驟:
檢測所述Nand flash元件的封裝體內(nèi)有多少個Nand flash內(nèi)核;
從所述Nand flash內(nèi)核中進行壞塊檢查;
對所述Nand flash內(nèi)核進行塊管理,并生成地址映射表;其中,所述塊管理為對壞塊之外的所有塊進行分配,分配出用戶區(qū)和管理區(qū),所述管理區(qū)中包括空閑塊;從上位機接收所述Nand flash元件的產(chǎn)品固件,并保存在所述Nand flash內(nèi)核中,具體為將所述產(chǎn)品固件保存在所述管理區(qū)中;
保存所述Nand flash元件的映射表和所述上位機發(fā)送的配置信息。
3.如權(quán)利要求2所述的低格控制方法,其特征在于,所述對所述Nand flash內(nèi)核進行壞塊檢查,包括:
對所有所述Nand flash內(nèi)核中所有的塊進行檢查;
將檢查到的壞塊的塊物理地址加入到壞塊表。
4.如權(quán)利 要求2所述的低格控制方法,其特征在于,所述對所述Nand flash內(nèi)核進行塊管理,還包括:
當所述用戶區(qū)或所述管理區(qū)中產(chǎn)生壞塊時,將所述空閑塊對所述用戶區(qū)或所述管理區(qū)進行替換,并更新壞塊表和所述地址映射表。
5.如權(quán)利要求4所述的低格控制方法,其特征在于,所述用戶區(qū)用于供用戶存儲用戶數(shù)據(jù);
所述管理區(qū)用于存儲系統(tǒng)數(shù)據(jù)、映射表、產(chǎn)品固件和配置信息中的部分或全部。
6.一種低格控制裝置,應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的Nand flash元件的低格模塊,其特征在于,所述低格控制裝置包括:
內(nèi)核檢測模塊,用于檢測所述Nand flash元件的封裝體內(nèi)有多少個Nand flash內(nèi)核;
壞塊檢查模塊,用于從所述Nand flash內(nèi)核中進行壞塊檢查;
塊管理模塊,用于對所述Nand flash內(nèi)核進行塊管理;
固件加載模塊,用于從上位機接收所述Nand flash元件的產(chǎn)品固件,并保存在所述Nand flash內(nèi)核中,具體用于將所述產(chǎn)品固件保存在所述管理區(qū)中;
信息保存模塊,用于保存所述Nand flash元件的映射表和所述上位機發(fā)送的配置信息。
7.如權(quán)利要求6所述的低格控制裝置,其特征在于,所述壞塊檢查模塊于包括:
壞塊檢查單元,對所述Nand flash內(nèi)核中所有的塊進行檢查;
壞塊記錄單元,用于將檢查到的壞塊的塊物理地址加入到壞塊表。
8.如權(quán)利要求6所述的低格控制裝置,其特征在于,所述塊管理模塊包括:
塊分配單元,用于對壞塊之外的所有塊進行分配,分配出用戶區(qū)和管理區(qū),所述管理區(qū)中包括空閑塊;
塊替換單元,用于當所述用戶區(qū)或所述管理區(qū)中產(chǎn)生壞塊時,將所述空閑塊對所述用戶區(qū)或所述管理區(qū)進行替換,并更新壞塊表和所述地址映射表。
9.如權(quán)利要求8所述的低格控制裝置,其特征在于,所述用戶區(qū)用于供用戶存儲用戶數(shù)據(jù);
所述管理區(qū)用于存儲系統(tǒng)數(shù)據(jù)、映射表、產(chǎn)品固件和配置信息中的部分或全部。
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