[發明專利]顯示設備及其形成方法

有效

• 申請號: 201711444797.4
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108987412B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 胡順源;許嘉修;趙明義;林明昌;顏子旻;謝朝樺
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

本公開提供一種顯示設備。顯示設備包括基板、設置于基板上的發光單元。發光單元包括相互重疊的第一導體層與第二導體層、設置于第一導體層與第二導體層之間的第一半導體層、設置于第一半導體層與第一導體層之間的第二半導體層、設置于第一半導體層與第二半導體層之間的量子井結構、貫穿第一半導體層及量子井結構的貫穿孔以及設置于貫穿孔中的導電材料。第二導體層經由導電材料電性連接第二半導體層。

技術領域

本公開是有關于顯示設備，且特別有關于包括發光單元的顯示設備。

背景技術

隨著數字科技的發展，顯示設備已被廣泛地應用在日常生活的各個層面中，例如其已廣泛應用于電視、筆記本電腦、計算機、移動電話(例如：智能型手機)等現代化信息設備，且此顯示設備不斷朝著輕、薄、短小及時尚化方向發展。

在各種類型的顯示設備中，發光二極管(LED)顯示設備因其具有如高效能及使用壽命長的優點而越來越受歡迎。

然而，現有的發光二極管顯示設備并非在各方面皆令人滿意。

發明內容

本公開一些實施例提供一種顯示設備。顯示設備包括基板、設置于基板上的發光單元。發光單元包括相互重疊的第一導體層與第二導體層、設置于第一導體層與第二導體層之間的第一半導體層、設置于第一半導體層與第一導體層之間的第二半導體層、設置于第一半導體層與第二半導體層之間的量子井結構、貫穿第一半導體層及量子井結構的貫穿孔以及設置于貫穿孔中的導電材料。第二導體層經由導電材料電性連接第二半導體層。在這些實施例中，發光單元在上下兩側皆設有導體層，因此發光單元的上下兩側皆可用來連接顯示設備的基板，而可增加形成顯示設備的制程上的彈性。

本公開一些實施例提供一種顯示設備的形成方法。顯示設備的形成方法包括提供基板。基板上設置有多個接合墊。顯示設備的形成方法亦包括形成粘合層于基板上并覆蓋此些接合墊、利用光刻制程形成圖案化粘合層以對應此些接合墊、經由圖案化粘合層將一發光單元接合至少一接合墊。在這些實施例中，由于顯示設備的圖案化粘合層是經由光刻制程形成，因此所形成的圖案可具有較小的尺寸而可應用于接合小尺寸的發光單元與顯示設備的基板。

本公開一些實施例提供一種顯示設備。顯示設備包括基板、設置于基板上的第一發光單元及第二發光單元。第一發光單元相鄰第二發光單元。在第一方向上，第一發光單元具有長度P₁，且第一發光單元與第二發光單元具有間距Z₁。顯示設備亦包括設置于基板與第一發光單元之間的第一粘合層、設置于基板與第二發光單元之間的第二粘合層。在第一方向上，第一粘合層與第二粘合層具有間距Z₃，其中，Z₁、Z₃與P₁符合以下公式：0Z₃(Z₁+P₁)，且Z₁、Z₃及P₁皆大于0微米(micrometer，μm)。在這些實施例中，借由將第一發光單元的長度P₁、相鄰發光單元之間距Z₁以及相鄰粘合層之間距Z₃設定調整為符合以下公式0Z₃(Z₁+P₁)，而可減少粘合層與發光單元因粘著面積過小導致附著力不足而造成發光單元與顯示設備基板之間電性連接不良的問題。

以下將參照附圖對實施例進行詳細說明。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，可從以下的詳細描述中更充分地理解本公開。值得注意的是，按照業界的標準做法，各特征并未被等比例繪示。事實上，為了明確起見，各種特征的尺寸可被任意地放大或縮小。

圖1A、1B、1C、1D、1F為一系列的剖面圖，其繪示出本公開一些實施例的發光單元的形成方法。

圖1E是根據本公開一些實施例繪示出發光單元的上視圖。