[發明專利]顯示設備及其形成方法有效
| 申請號: | 201711444797.4 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108987412B | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 胡順源;許嘉修;趙明義;林明昌;顏子旻;謝朝樺 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 及其 形成 方法 | ||
1.一種顯示設備,包括:
一基板;以及
一發光單元,設置于該基板上;
其中該發光單元包括:
一第一導體層與一第二導體層相互重疊;
一第一半導體層,設置于該第一導體層與該第二導體層之間;
一第二半導體層,設置于該第一半導體層與該第一導體層之間;
一量子井結構,設置于該第一半導體層與該第二半導體層之間;
一貫穿孔,貫穿該第一半導體層及該量子井結構,且未完全貫穿該第二半導體層;以及
一導電材料,設置于該貫穿孔中,
其中,該第二導體層經由該導電材料電性連接該第二半導體層。
2.如權利要求1所述的顯示設備,其特征在于,該發光單元更包括:
一第三導體層,其中該第三導體層與相鄰的該第一導體層設置于該第一半導體層的一第一側上。
3.如權利要求2所述的顯示設備,更包括:
一粘合層,設置于該基板與該發光單元之間,該粘合層部分設置于該第一導體層與該第三導體層之間隙。
4.如權利要求2所述的顯示設備,其特征在于,該發光單元更包括一第四導體層,該第四導體層與相鄰的該第二導體層設置于該第一半導體層的一第二側上,且該第一側與該第二側相對設置。
5.如權利要求4所述的顯示設備,更包括:
一粘合層,設置于該基板與該發光單元之間,該粘合層部分設置于該第二導體層與該第四導體層之間隙。
6.如權利要求1所述的顯示設備,其特征在于,該導電材料直接接觸該第二半導體層。
7.如權利要求1所述的顯示設備,更包括一第一絕緣層,設置于該導電材料及該貫穿孔的一孔壁之間。
8.如權利要求7所述的顯示設備,其特征在于,該第一絕緣層設置于該導電材料與該第一半導體層之間,且該第一絕緣層設置于該導電材料與該量子井結構之間。
9.如權利要求1所述的顯示設備,其特征在于,該發光單元更包括:
一第二絕緣層,設置于該第一半導體層與該第二導體層之間,其中該貫穿孔貫穿該第二絕緣層。
10.如權利要求1所述的顯示設備,更包括一驅動電路設置于該基板上,該發光單元設置于該驅動電路上,且該發光單元與該驅動電路電性連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





