[發明專利]離子植入機及其載片回路和離子植入方法

在審

• 申請號: 201711442407.X
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108172492A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 田成俊;吳孝哲;倪明明;洪紀倫;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/317;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

一種離子植入機及其載片回路和離子植入方法，所述載片回路包括：動力結構，用于為所述載片回路提供動力；傳送結構，利用所述動力結構提供的動力帶動多個托盤運動；所述多個托盤用于裝載基片；所述傳送結構以恒定的速率帶動所述多個托盤運動；所述恒定的速率與預設離子植入速率相等。采用上述方案可以縮短離子植入工藝時間，減小能耗。

技術領域

本發明實施例涉及離子植入機，尤其涉及一種離子植入機及其載片回路和離子植入方法。

背景技術

離子植入為半導體工藝中常見步驟。具體而言，在半導體制造流程中，使用離子植入技術將摻雜物質以離子形態植入半導體組件的特定區域上，進而獲得精確的電子特性。離子植入機即為用于進行離子植入的設備。

現有的離子植入機進行離子植入時，基片只能在一條直線路徑上往復運動。具體而言，基片的運動過程為：先以加速運動的方式靠近離子束，再以勻速運動的方式通過離子束，最后以減速運動的方式停止。對于任一個基片，此運動過程可能需要重復進行多次，方可完成離子植入工藝。此類離子植入機的離子植入產出低，耗時長，因此需要一種離子植入機，提高離子植入產出，節省離子植入的工藝時間。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提高離子植入產出，節省離子植入的工藝時間。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種離子植入機的載片回路，包括：動力結構，用于為所述載片回路提供動力；傳送結構，利用所述動力結構提供的動力帶動多個托盤運動；所述多個托盤用于裝載基片；所述傳送結構以恒定的速率帶動所述多個托盤運動；所述恒定的速率與預設離子植入速率相等。

可選的，所述多個托盤的一側與所述傳送結構相連，所述多個托盤的另一側與所述基片相連；所述動力結構與所述傳送結構相連，用于帶動所述傳送結構。

可選的，所述托盤包括靜電吸附結構和連接結構；所述靜電吸附結構和所述連接結構分別位于所述托盤的相對的兩側；所述靜電吸附結構用于固定所述基片，所述連接結構與傳送結構相連。

可選的，所述動力結構包括滾輪，齒輪或軸承。

可選的，所述基片的傳送路線為封閉的循環路線。

可選的，所述基片的傳送路線的形狀為矩形。

可選的，所述傳送結構為履帶。

本發明還提供了一種離子植入機，包括上述任一所述的離子植入機的載片回路。

可選的，所述離子植入機的離子束的截面為線狀，所述離子束的截面的長軸的長度大于基片直徑。

本發明還提供了一種離子植入的方法，包括：發射離子束至待植入位置；以恒定的速率傳送多個基片至所述待植入位置；所述恒定的速率與預設離子植入速率相等；在所述待植入位置，采用所述離子束對所述多個基片進行離子植入。

與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下優點：

本發明的基片的傳送速率為恒定速率，相比于現有的加速-勻速-減速的載片方式，保證了離子植入的穩定性；而且，基片采用恒定速率傳送，該恒定的速率與預設離子植入速率相等，不需要提供額外的動力進行加速或減速運動，減小了設備能耗。并且，一次離子植入工藝中可以有多個基片參與，節省了每次離子植入的掃描時間。

本發明還提供了一種離子植入機，本發明的離子植入機中基片的傳送速率為恒定速率，相比于現有的加速-勻速-減速的載片方式，保證了離子植入的穩定性；而且，基片采用恒定速率傳送，該恒定的速率與預設離子植入速率相等，不需要提供額外的動力進行加速或減速運動，減小了設備能耗。并且，一次離子植入工藝中可以有多個基片參與，節省了每次離子植入的掃描時間。