[發明專利]半導體存儲器件結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201711439945.3
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109979939B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

本發明提供一種半導體存儲器件結構及其制作方法，結構包括：半導體襯底、字線、位線接觸點及位線，半導體襯底具有若干呈波浪型延伸的溝槽隔離結構，藉由溝槽隔離結構隔離出若干呈波浪型延伸的有源區；字線與有源區交叉，字線可包括實質字線及擬置字線，實質字線兩側緣的有源區中具有源區及漏區；位線接觸點形成于漏區上；位線形成于位線接觸點上，并與字線交叉。本發明形成波浪型的有源區及與有源區交叉的字線，擬置字線通入電壓后，可以作為隔離溝槽，將有源區間隔成多個有源區單元。相比于傳統的淺溝槽隔離結構，本發明的擬置字線可以大大縮小與所述擬置字線相鄰的兩根實質字線之間的間距。

技術領域

本發明屬于集成電路制造技術領域，特別是涉及一種半導體存儲器件結構及其制作方法。

背景技術

動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，簡稱：DRAM)是計算機中常用的半導體存儲器件，由許多重復的存儲單元組成。每個存儲單元通常包括電容器10和晶體管11；晶體管11的柵極與字線13相連、晶體管11的漏極/源極與位線12相連、晶體管11的源極/漏極與電容器10相連；字線13上的電壓信號能夠控制晶體管11的打開或關閉，進而通過位線12讀取存儲在電容器10中的數據信息，或者通過位線12將數據信息寫入到電容器10中進行存儲，如圖1所示。

在陣列圖案層級下需要在間距上界定三個特征：場上的兩個字線及一接地柵極。通常來說，場上的接地柵極平行圖案的最大密度需要確保可執行線性自對準接觸蝕刻，以形成用于插塞傳導存儲及接觸有源區域的空腔，常規的間距加倍在此情況下并不有效，因為關于每個經圖案化的間距加倍特征不能界定用于字線對字線及接地柵極的正確間隙。更重要的是，常規的形成字線間的隔離溝槽需要在襯底中單獨蝕刻隔離溝槽，并該隔離溝槽中填充絕緣材料，以防止字線的漏電，需要大大增加工藝成本，且不利于工藝效率的提高。

基于以上所述，提供一種可以進行間距加倍的等間距字線以及可有效降低隔離溝槽制作成本的半導體存儲器件結構及其制作方法實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種半導體存儲器件結構及其制作方法，可以實現等間距字線的間距加倍以及可有效降低隔離溝槽制作成本的半導體存儲器件結構及其制作方法。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種半導體存儲器件結構的制作方法，所述制作方法包括：1)提供一半導體襯底，于所述半導體襯底中形成若干呈波浪型延伸的溝槽隔離結構，藉由所述溝槽隔離結構于所述半導體襯底中隔離出若干呈波浪型延伸的有源區；2)于所述半導體襯底中形成字線，所述字線與所述有源區交叉，所述字線包括實質字線及擬置字線；3)于所述實質字線兩側緣的有源區中分別形成源區及漏區；4)于所述漏區上形成位線接觸點；以及5)于所述位線接觸點上形成位線，所述位線與所述字線交叉。

優選地，步驟2)中，所述擬置字線包括隔離字線，所述隔離字線通入電壓以作為間隔所述有源區的短邊隔離溝槽，所述隔離字線的兩側緣不具備位線接觸點。

進一步地，每兩根相鄰的所述隔離字線于所述有源區中隔出一有源區單元，每個所述有源區單元與兩根間隔排布的所述實質字線交叉，所述兩根間隔排布的所述實質字線共用一個所述漏區；步驟1)中，所述溝槽隔離結構作為間隔所述有源區單元的長邊隔離溝槽；步驟2)中，所述隔離字線作為間隔所述有源區單元的短邊隔離溝槽。

優選地，呈波浪型延伸的所述有源區的任一波峰及任一波谷與所述隔離字線交叉。

優選地，步驟1)中，所述溝槽隔離結構等間距排布，從而使得呈波浪型延伸的有源區等間距排布。

優選地，所述字線等間距排布，所述位線等間距排布，且所述位線包括與所述字線垂直交叉的分布，用以實現減少位線長度，降低寄生電容。