[發(fā)明專利]一種測量點的配置選擇方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711439063.7
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109976099B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 張臻賢;王珺

本發(fā)明提出一種測量點的配置選擇方法及裝置，所述方法包括以下步驟：確定多個曝光單元中測量點的數(shù)量和分布位置；根據(jù)所述測量點的分布位置將所述測量點劃分為多種測量點群組；以及為所述曝光單元分配一種測量點群組，并根據(jù)所述測量點群組為每個曝光單元設置對應的測量點，其中，相鄰位置的兩個所述曝光單元的測量點位置不相鄰。通過群組劃分的方式，對曝光單元分配不同的測量點群組，相鄰兩個曝光單元中間不存在緊挨的測量點，從而實現(xiàn)整個晶圓上的測量點分布更加均勻。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領域，尤其涉及一種測量點的配置選擇方法及裝置。

背景技術(shù)

光刻工藝應用于半導體制造過程中，光刻過程是將掩膜(Mask)上的圖形形式的電路結(jié)構(gòu)通過對準、曝光、顯影等步驟轉(zhuǎn)印到涂有光刻膠的晶圓表面，從而在晶圓表面形成一層光刻膠掩蔽圖形。

半導體器件由很多層電路重疊而成，因此需要數(shù)十次的光刻步驟，必須保證每一層與前層以及后層相對準，即疊對(Overlay)，疊對誤差大將直接影響半導體器件的性能，甚至導致短路而使器件失效。

因此需要針對晶圓上的多層電路進行疊對測量，并需要確定測量點的數(shù)量及其位置分布。如圖1所示，其為現(xiàn)有的曝光單元的測量點的數(shù)量和位置的示意圖。在每個曝光單元110上分別設置固定數(shù)量和位置的測量點111。目前在對準測量點的數(shù)量和位置的配置采用統(tǒng)一點數(shù)和位置的方式，也即是對晶圓上的所有曝光單元全部采用相同的測量點分布方式。如圖2所示，其為現(xiàn)有的晶圓的測量點的分布示意圖。當對每個曝光單元都采用相同固定的測量點數(shù)量和位置分布方式，則會導致最終的晶圓100上的測量點111的分布過于密集且缺乏特定用途的測量點分布。

以上的說明僅僅是為了幫助本領域技術(shù)人員理解本發(fā)明的背景，不代表以上內(nèi)容為本領域技術(shù)人員所公知或知悉。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種測量點的配置選擇方法及裝置，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中的以上技術(shù)問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種測量點的配置選擇方法，包括以下步驟：

確定多個曝光單元中測量點的數(shù)量和分布位置；

根據(jù)所述測量點的分布位置將所述測量點劃分為多種測量點群組；以及

為每一所述曝光單元分配多種測量點群組的其中一種，并根據(jù)所述測量點群組為每個曝光單元設置對應的測量點，其中，相鄰位置的兩個所述曝光單元的最接近測量點位置不相鄰靠。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實施例在第一方面的第一種實現(xiàn)方式中，每種所述測量點群組包括至少三個測量點，并且同一測量點群組內(nèi)的三個所述測量點不在同一直線。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實施例在第一方面的第二種實現(xiàn)方式中，每個所述測量點群組內(nèi)的測量點數(shù)量相同但測量點的分布位置不相同。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實施例在第一方面的第三種實現(xiàn)方式中，所述測量點群組的劃分步驟包括：

將所述測量點的總值平均分配至所述測量點群組；以及

當所述測量點的總值不能平均分配于所述測量點群組時，將多余測量點分散地添加至部份的所述測量點群組中，其中所述多余測量點包括不位于對應曝光單元邊緣位置的測量點。

結(jié)合第一方面上述的任意一種實現(xiàn)方式，本發(fā)明實施例在第一方面的第四種實現(xiàn)方式中，所述劃分多個測量點群組的劃分步驟中，每一種所述測量點群組內(nèi)的所述測量點包含位于所述曝光單元邊角的邊角點、位于所述曝光單元側(cè)邊的側(cè)邊點及有間隔遠離所述曝光單元側(cè)邊的非側(cè)邊點，每一種所述測量點群組內(nèi)的所述測量點的圍繞面積區(qū)涵蓋所述曝光單元的中心點。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種測量點的配置裝置，包括：

設置單元，用于多個確定曝光單元中測量點的數(shù)量和分布位置；