[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201711435850.4
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108039353B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 韋顯旺
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;黃進

本發明公開了一種陣列基板，包括像素結構，所述像素結構設置有晶體管區，所述像素結構包括：圖案化的數據線，延伸至所述晶體管區中；圖案化的氧化物半導體層，位于所述晶體管區中并與所述數據線連接；柵極絕緣層，覆設于所述數據線和所述氧化物半導體層上；圖案化的相互連接的柵極線和柵電極，形成于所述柵極絕緣層上；所述柵電極位于所述晶體管區中，所述柵電極從所述氧化物半導體層的上方延伸至所述氧化物半導體層的相對兩個側壁上；其中，所述氧化物半導體層的正對于所述柵電極的部分形成溝道區，位于所述溝道區兩側的部分被導體化形成源電極和漏電極。本發明還公開了如上所述陣列基板的制備方法以及包含該陣列基板的顯示裝置。

技術領域

本發明涉及平板顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法，還涉及一種包含所述陣列基板的顯示裝置。

背景技術

平板顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。現有的平板顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)及有機電致發光顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)。薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板是平板顯示裝置的重要組成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上。

薄膜晶體管陣列基板包括形成在玻璃基板上的薄膜晶體管，傳統的技術中，如圖1所示，薄膜晶體管包括形成于玻璃基板1上的柵電極2、覆設于所述柵電極2上的柵極絕緣層3、形成于所述柵極絕緣層3上的有源層4以及形成于所述有源層4上的源電極5和漏電極6。其中，所述源電極5和漏電極6相互間隔，所述有源層4對應于所述源電極5和漏電極6相互間隔的區域為溝道區4a。圖2是薄膜晶體管的平面結構示意圖，圖中僅示出了薄膜晶體管的柵電極2、有源層4以及源電極5和漏電極6。其中，溝道區4a的長度為L，寬度為W。

在薄膜晶體管陣列基板的設計工藝中，要求薄膜晶體管具有較大的開態電流和較小的關態電流的特性。其中，提高開態電流的方法之一是增加溝道區的寬長比(W/L)。提高寬長比的方式要么是增加寬度W，要么是減小長度L。為了保證顯示屏的分辨率，像素區的面積需要盡可能的小，開口率需要盡可能的大，因此驅動薄膜晶體管以及外圍電路不能超過一定的面積，這就限制了薄膜晶體管的溝道區寬度W不能做的太寬，在這種情況下需要增大薄膜晶體管溝道區的寬長比就只能通過減小長度L來解決，但是薄膜晶體管溝道區長度L降低到一定程度會引起漏電流和溝道擊穿等現象，造成薄膜晶體管無法工作。因此，如何增加薄膜晶體管的溝道區的寬長比是業內一直在探索解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種陣列基板及其制備方法，用以實現增加薄膜晶體管溝道區的寬長比(W/L)，以提高薄膜晶體管的開態電流，提升薄膜晶體管的驅動能力。

為了實現上述目的，本發明采用了如下的技術方案：

一種陣列基板，包括形成于襯底基板上的像素結構，所述像素結構設置有晶體管區，所述像素結構包括：

圖案化的數據線，延伸至所述晶體管區中；

圖案化的氧化物半導體層，位于所述晶體管區中并與所述數據線連接；

柵極絕緣層，覆設于所述數據線和所述氧化物半導體層上；

圖案化的相互連接的柵極線和柵電極，形成于所述柵極絕緣層上；所述柵電極位于所述晶體管區中，所述柵電極從所述氧化物半導體層的上方延伸至所述氧化物半導體層的相對兩個側壁上；

其中，所述氧化物半導體層的正對于所述柵電極的部分形成溝道區，位于所述溝道區兩側的部分被導體化形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極的其中之一與所述數據線連接。

其中，所述像素結構還設置有像素區，所述氧化物半導體層還延伸至所述像素區中；在所述像素區中，所述氧化物半導體層被導體化形成像素電極。