[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201711435850.4
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108039353B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 韋顯旺
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;黃進

1.一種陣列基板，包括形成于襯底基板上的像素結構，所述像素結構設置有晶體管區，其特征在于，所述像素結構包括：

圖案化的數據線，延伸至所述晶體管區中；

圖案化的氧化物半導體層，位于所述晶體管區中并與所述數據線連接；

柵極絕緣層，覆設于所述數據線和所述氧化物半導體層上；

圖案化的相互連接的柵極線和柵電極，形成于所述柵極絕緣層上；所述柵電極位于所述晶體管區中，所述柵電極從所述氧化物半導體層的溝道區上方延伸至所述氧化物半導體層的溝道區相對兩個側壁上，以使所述柵電極與所述兩個側壁具有相互交疊的部分；

其中，所述氧化物半導體層的正對于所述柵電極的部分形成溝道區，位于所述溝道區兩側的部分被導體化形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極的其中之一與所述數據線連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素結構還設置有像素區，所述氧化物半導體層還延伸至所述像素區中；在所述像素區中，所述氧化物半導體層被導體化形成像素電極。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物半導體層的材料選自ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO和ZrInZnO中的任意一種或兩種以上。

4.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵電極呈“幾”形的形狀包覆在所述氧化物半導體層的上方及其相對兩個側壁上。

5.一種如權利要求1-4任一所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板，在所述襯底基板上沉積第一金屬薄膜，將所述第一金屬薄膜圖形化形成所述數據線；

在所述襯底基板上沉積氧化物半導體薄膜，所述氧化物半導體薄膜覆蓋所述數據線，將所述氧化物半導體薄膜圖形化形成所述氧化物半導體層；

在所述襯底基板上沉積所述柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述數據線和所述氧化物半導體層；

在所述柵極絕緣層上沉積第二金屬薄膜，將所述第二金屬薄膜圖形化形成所述柵極線和所述柵電極；

以所述柵電極為掩膜版，對所述氧化物半導體層進行導體化處理，將暴露于所述柵電極之外的所述氧化物半導體層轉化為導體。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，采用UV光照射工藝將暴露于所述柵電極之外的所述氧化物半導體層轉化為導體。

7.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，采用離子注入工藝或等離子轟擊工藝將暴露于所述柵電極之外的所述氧化物半導體層轉化為導體。

8.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一金屬薄膜和所述第二金屬薄膜的材料分別為鉬或鈦或兩者的組合。

9.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料為SiO_x或SiN_x或兩者的組合。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-4任一所述的陣列基板，所述顯示裝置為液晶顯示裝置或有機電致發光顯示裝置。