[發(fā)明專利]基板及其處理方法、裝置、系統(tǒng)及控制裝置、制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711435797.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN108242392A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 香川興司;米澤周平;土橋和也;高島敏英;天井勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

提供一種能夠?qū)⑴饐文幕暹m當(dāng)?shù)厝コ幕寮捌涮幚矸椒ā⒀b置、系統(tǒng)及控制裝置、制造方法。在實(shí)施方式所涉及的基板處理方法中，通過使將硝酸、比硝酸強(qiáng)的強(qiáng)酸以及水混合所得到的去除液與在包含硅系膜的膜上形成有硼單膜的基板接觸，來將硼單膜從基板去除。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統(tǒng)、基板處理系統(tǒng)的控制裝置、半導(dǎo)體基板的制造方法以及半導(dǎo)體基板。

背景技術(shù)

以往，作為半導(dǎo)體基板的蝕刻處理中所使用的硬掩模，使用碳膜等(參照專利文獻(xiàn)1)。

近年，作為新的硬掩模材料，逐漸關(guān)注硼系膜。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-133710號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在硼系膜之中，特別是硼單膜具有比以往的硬掩模更高的選擇比。然而，還未獲得關(guān)于將形成的硼單膜從基板去除的技術(shù)的有用的見解。

實(shí)施方式的一個(gè)方式的目的在于，提供一種能夠?qū)⑴饐文幕暹m當(dāng)?shù)厝コ幕逄幚矸椒?、基板處理裝置、基板處理系統(tǒng)、基板處理系統(tǒng)的控制裝置、半導(dǎo)體基板的制造方法以及半導(dǎo)體基板。

用于解決問題的方案

在實(shí)施方式的一個(gè)方式所涉及的基板處理方法中，通過使硝酸、比硝酸強(qiáng)的強(qiáng)酸以及水混合所得到的去除液與在包含硅系膜的膜上形成有硼單膜的基板接觸，來將硼單膜從基板去除。

發(fā)明的效果

根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方式，能夠?qū)⑴饐文幕暹m當(dāng)?shù)厝コ?/p>

附圖說明

圖1A是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖1B是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖1C是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖1D是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖2是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的一例的框圖。

圖3是示出成膜處理單元的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖4是示出蝕刻處理單元的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖5是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。

圖6是示出第一實(shí)施方式所涉及的處理單元的概要結(jié)構(gòu)的圖。

圖7是示出第一實(shí)施方式所涉及的處理單元中的處理液供給系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖8是示出第一實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)所執(zhí)行的基板處理的過程的一例的流程圖。

圖9是示出第二實(shí)施方式所涉及的處理單元中的處理液供給系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖10是示出第三實(shí)施方式所涉及的處理單元中的處理液供給系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖11A是示出第四實(shí)施方式所涉及的處理單元的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖11B是示出第四實(shí)施方式所涉及的處理單元的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖12是示出第五實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖13是示出斜面處理單元的結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖14是示出背面處理單元的結(jié)構(gòu)的一例的圖。