[發明專利]基板及其處理方法、裝置、系統及控制裝置、制造方法

在審

• 申請號: 201711435797.8
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108242392A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 香川興司;米澤周平;土橋和也;高島敏英;天井勝
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

提供一種能夠將硼單膜從基板適當地去除的基板及其處理方法、裝置、系統及控制裝置、制造方法。在實施方式所涉及的基板處理方法中，通過使將硝酸、比硝酸強的強酸以及水混合所得到的去除液與在包含硅系膜的膜上形成有硼單膜的基板接觸，來將硼單膜從基板去除。

技術領域

本發明涉及一種基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的制造方法以及半導體基板。

背景技術

以往，作為半導體基板的蝕刻處理中所使用的硬掩模，使用碳膜等(參照專利文獻1)。

近年，作為新的硬掩模材料，逐漸關注硼系膜。

專利文獻1：日本特開2000-133710號公報

發明內容

發明要解決的問題

在硼系膜之中，特別是硼單膜具有比以往的硬掩模更高的選擇比。然而，還未獲得關于將形成的硼單膜從基板去除的技術的有用的見解。

實施方式的一個方式的目的在于，提供一種能夠將硼單膜從基板適當地去除的基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的制造方法以及半導體基板。

用于解決問題的方案

在實施方式的一個方式所涉及的基板處理方法中，通過使硝酸、比硝酸強的強酸以及水混合所得到的去除液與在包含硅系膜的膜上形成有硼單膜的基板接觸，來將硼單膜從基板去除。

發明的效果

根據實施方式的一個方式，能夠將硼單膜從基板適當地去除。

附圖說明

圖1A是示出第一實施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖1B是示出第一實施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖1C是示出第一實施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖1D是示出第一實施方式所涉及的基板處理方法的一例的圖。

圖2是示出第一實施方式所涉及的基板處理系統的一例的框圖。

圖3是示出成膜處理單元的結構的一例的圖。

圖4是示出蝕刻處理單元的結構的一例的圖。

圖5是示出第一實施方式所涉及的基板處理裝置的概要結構的圖。

圖6是示出第一實施方式所涉及的處理單元的概要結構的圖。

圖7是示出第一實施方式所涉及的處理單元中的處理液供給系統的結構的一例的圖。

圖8是示出第一實施方式所涉及的基板處理系統所執行的基板處理的過程的一例的流程圖。

圖9是示出第二實施方式所涉及的處理單元中的處理液供給系統的結構的一例的圖。

圖10是示出第三實施方式所涉及的處理單元中的處理液供給系統的結構的一例的圖。

圖11A是示出第四實施方式所涉及的處理單元的結構的一例的圖。

圖11B是示出第四實施方式所涉及的處理單元的結構的一例的圖。

圖12是示出第五實施方式所涉及的基板處理系統的結構的一例的圖。

圖13是示出斜面處理單元的結構的一例的圖。

圖14是示出背面處理單元的結構的一例的圖。