[發明專利]基板及其處理方法、裝置、系統及控制裝置、制造方法

在審

• 申請號: 201711435797.8
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108242392A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 香川興司;米澤周平;土橋和也;高島敏英;天井勝
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理方法，其特征在于，

在該基板處理方法中，通過使硝酸、比所述硝酸強的強酸以及水混合所得到的去除液與在包含硅系膜的膜上形成有硼單膜的基板接觸，來將所述硼單膜從所述基板去除。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述硼單膜去除的處理中，

在向所述基板上供給所述去除液之前，通過將所述被水稀釋的強酸和所述被水稀釋的硝酸以具有向所述基板供給的流速的狀態相互混合，來生成所述去除液。

3.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述硼單膜去除的處理中，

通過將被所述水稀釋的強酸和被所述水稀釋的硝酸在所述基板上混合，來生成所述去除液。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述硼單膜去除的處理中，

在所述基板上形成所述去除液的液膜，

在形成所述液膜之后，將在所述基板上形成有所述去除液的液膜的狀態維持規定時間。

5.根據權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

在將在所述基板上形成有所述去除液的液膜的狀態維持規定時間的處理中，在形成所述液膜之后，使所述去除液在所述基板上停留規定時間。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述硼單膜去除的處理中，

在所述基板上形成所述去除液的液膜，

在形成所述液膜之后，在使在與所述基板相向的一側具有平面的蓋體與所述液膜接觸的狀態下，對所述去除液進行加熱。

7.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述硼單膜去除的處理中，

在盤狀的載置部儲存所述去除液，該盤狀的載置部具有朝向下方逐漸縮徑的內周面且在所述內周面與所述基板的斜面部接觸，

在通過將所述基板載置于所述載置部來使所述基板與儲存于所述載置部的所述去除液接觸的狀態下，對所述去除液進行加熱。

8.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述硼單膜去除的處理中，將所述去除液貯存于處理槽，

使所述基板浸漬于在所述處理槽貯存的所述去除液。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在具有包含所述硅系膜的膜的基板形成所述硼單膜，

通過使所述去除液與形成膜后的所述基板的背面和斜面部接觸，來從所述基板的背面和斜面部去除所述硼單膜，

對去除后的所述基板的表面進行蝕刻，

將所述硼單膜去除的處理是針對蝕刻后的所述基板進行的。

10.根據權利要求1～9中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述去除液中的所述強酸為硫酸，所述硫酸的濃度為64wt％以下，所述去除液中的所述硝酸的濃度為3wt％以上且69wt％以下。

11.根據權利要求1～9中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述去除液中的所述強酸為硫酸，所述硫酸的濃度為50wt％以下，所述去除液中的所述硝酸的濃度為3wt％以上且69wt％以下。

12.一種基板處理裝置，其特征在于，

具備處理單元，該處理單元保持在包含氧化硅膜的膜上形成有硼單膜的基板，

該處理單元通過使將硝酸、比所述硝酸強的強酸以及水混合所得到的去除液與被保持的所述基板接觸，來將所述硼單膜從所述基板去除。