[發(fā)明專利]一種COB固晶方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711435686.7
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108091750B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莫宜穎;王芝燁;黃巍;王躍飛
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻利智匯集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州中浚雄杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 44254
• 代理人: 李肇偉

一種COB固晶方法，包括以下步驟：（1）制造帶有線路的基板，所述線路包括芯片焊盤、電極焊盤和連接芯片焊盤與電極焊盤的導(dǎo)線；（2）在芯片焊盤上形成一層錫膏；（3）將形成有第一層錫膏的基板過回流焊；（4）在芯片焊盤處點錫膏并進行焊接固晶。本發(fā)明在點錫固晶步驟前，先在芯片焊盤上刷一層錫膏，該第一層錫膏通過回流焊與芯片焊盤結(jié)合，最后再點錫膏焊接固晶，兩次的錫膏相互融合，減少焊接的空洞率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED領(lǐng)域，尤其是一種COB固晶方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的倒裝固晶作業(yè)工藝一般有：1.使用鋼網(wǎng)印刷錫膏，通過鋼網(wǎng)的開孔大小決定錫膏的量，然后固晶，再共晶。這類固晶作業(yè)工藝，由于傳統(tǒng)的倒裝芯片體積小，從而利用鋼網(wǎng)印刷錫膏時，很難控制錫膏的量，同時在印刷錫膏的過程中，網(wǎng)孔容易堵塞，造成錫量不均，且錫膏耗費過大。設(shè)備工作臺上錫膏堆積造成助焊劑含量不均勻，過爐共晶后容易出現(xiàn)空洞率多大，出現(xiàn)虛焊現(xiàn)象。2.使用自動固晶機一次上錫，然后固晶，再高溫共晶工藝。這類固晶作業(yè)工藝，通常在焊盤邊緣位置錫膏融合不到，存在局部的真空，空洞過大，造成局部溫度過高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種COB固晶方法，能夠減少焊接的空洞率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種COB固晶方法，包括以下步驟：

（1）制造帶有線路的基板，所述線路包括芯片焊盤、電極焊盤和連接芯片焊盤與電極焊盤的導(dǎo)線；

（2）在芯片焊盤上形成一層錫膏；

（3）將形成有第一層錫膏的基板過回流焊；

（4）在芯片焊盤處點錫膏并進行焊接固晶。

本發(fā)明在點錫固晶步驟前，先在芯片焊盤上形成一層錫膏，該第一層錫膏通過回流焊與芯片焊盤結(jié)合，最后再點錫膏焊接固晶，兩次的錫膏相互融合，減少焊接的空洞率。

作為改進，所述步驟（2）中，對基板上的線路整體刷一層錫膏或在芯片焊盤上使用匹配芯片大小的多點點膠頭點一層錫膏實現(xiàn)每個芯片焊盤覆蓋第一層錫膏。

作為改進，所述芯片焊盤的外圍設(shè)有圍繞芯片焊盤而設(shè)的圍堰。

作為改進，所述圍堰通過刷一層油墨形成。

作為改進，先制作圍堰再實施步驟（4）。

作為改進，所述芯片焊盤包括芯片正極焊盤和芯片負(fù)極焊盤，芯片正極焊盤與芯片負(fù)極焊盤之間的隔離帶上設(shè)有隔墻。

作為改進，隔墻高度不高于焊盤，且通過刷一層油墨形成。

作為改進，所述芯片焊盤包括供第一芯片焊接的第一芯片焊盤和供第二芯片焊接的第二芯片焊盤，第一芯片的發(fā)光面積大于第二芯片。

作為改進，所述基板的固晶區(qū)域分包括左右對稱的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域內(nèi)包括若干行芯片組，由第一芯片組成第一芯片組，由第二芯片組成第二芯片組，第一芯片組與第二芯片組呈間隔設(shè)置，第二區(qū)域內(nèi)的芯片布置與第一區(qū)域內(nèi)的芯片布置對稱。

作為改進，所述導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，第一導(dǎo)線從固晶區(qū)域的一側(cè)先經(jīng)過第一區(qū)域?qū)⒌谝恍酒M串聯(lián)，然后從固晶區(qū)域的另一側(cè)進入第二區(qū)域?qū)⒌谝恍酒M串聯(lián)；第二導(dǎo)線從固晶區(qū)域的一側(cè)中間進入同時連接第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的第二芯片組，最后從固晶區(qū)域的另一側(cè)引出。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所帶來的有益效果是：

本發(fā)明在點錫固晶步驟前，先在芯片焊盤上點一層錫膏，該第一層錫膏通過回流焊與芯片焊盤結(jié)合，最后再點錫膏焊接固晶，兩次的錫膏相互融合，降低焊接的空洞率。在焊盤的外圍設(shè)有圍堰，可以防止錫膏外流，降低空洞率。

附圖說明