[發明專利]一種COB固晶方法

有效

• 申請號: 201711435686.7
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108091750B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 莫宜穎;王芝燁;黃巍;王躍飛
• 申請（專利權）人: 鴻利智匯集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州中浚雄杰知識產權代理有限責任公司 44254
• 代理人: 李肇偉

1.一種COB固晶方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）制造帶有線路的基板，所述線路包括芯片焊盤、電極焊盤和連接芯片焊盤與電極焊盤的導線；

（2）在芯片焊盤上形成一層錫膏；

（3）將形成有第一層錫膏的基板過回流焊；

（4）在芯片焊盤處點錫膏并進行焊接固晶；

所述芯片焊盤的外圍設有圍繞芯片焊盤而設的圍堰，所述圍堰通過刷一層油墨形成；所述芯片焊盤包括芯片正極焊盤和芯片負極焊盤，芯片正極焊盤與芯片負極焊盤之間的隔離帶上設有隔墻，隔墻高度不高于焊盤，且通過刷一層油墨形成。

2.根據權利要求1所述的一種COB固晶方法，其特征在于：所述步驟（2）中，對基板上的線路整體刷一層錫膏或在芯片焊盤上使用匹配芯片大小的多點點膠頭點一層錫膏實現每個芯片焊盤覆蓋第一層錫膏。

3.根據權利要求1所述的一種COB固晶方法，其特征在于：先制作圍堰再實施步驟（4）。

4.根據權利要求1所述的一種COB固晶方法，其特征在于：所述芯片焊盤包括供第一芯片焊接的第一芯片焊盤和供第二芯片焊接的第二芯片焊盤，第一芯片的發光面積大于第二芯片。

5.根據權利要求4所述的一種COB固晶方法，其特征在于：所述基板的固晶區域分包括左右對稱的第一區域和第二區域，第一區域內包括若干行芯片組，由第一芯片組成第一芯片組，由第二芯片組成第二芯片組，第一芯片組與第二芯片組呈間隔設置，第二區域內的芯片布置與第一區域內的芯片布置對稱。

6.根據權利要求5所述的一種COB固晶方法，其特征在于：所述導線包括第一導線和第二導線，第一導線從固晶區域的一側先經過第一區域將第一芯片組串聯，然后從固晶區域的另一側進入第二區域將第一芯片組串聯；第二導線從固晶區域的一側中間進入同時連接第一區域和第二區域內的第二芯片組，最后從固晶區域的另一側引出。