[發(fā)明專利]一種減少設(shè)計面積的動態(tài)隨機存儲器單元及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711434312.3
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108172578A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金鎭湖;康太京
• 申請（專利權(quán)）人: 東芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種減少設(shè)計面積的動態(tài)隨機存儲器單元的制造方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體存儲裝置制造領(lǐng)域，其特征在于，每一所述動態(tài)隨機存儲器單元包括一晶體管、一電容器，所述晶體管的柵電極于字線電壓的控制下導(dǎo)通位線與所述電容器之間的傳送通道；每一對所述動態(tài)隨機存儲器單元通過以下步驟制備：

步驟S1，于一半導(dǎo)體基板上形成水平方向擴張的面板；

步驟S2，于所述面板兩側(cè)形成一所述晶體管的柵電極；

步驟S3，于所述面板上方一預(yù)定位置形成與所述位線產(chǎn)生電連接的位線連接口；

步驟S4，于所述柵電極的一側(cè)形成所述電容器，所述電容器與所述傳送通道產(chǎn)生電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中形成所述面板的方法包括以下步驟：

步驟S11，于所述半導(dǎo)體基板表面依次淀積一第一氧化層和一第一絕緣層；

步驟S12，于所述第一絕緣層表面淀積一第一掩膜層，圖案化所述第一掩膜層，于一預(yù)定位置形成工藝窗口；

步驟S13，通過所述第一掩膜層對所述第一絕緣層、所述第一氧化層和所述半導(dǎo)體基板進行刻蝕，停留于所述半導(dǎo)體基板中一預(yù)定深度，形成分離溝；

步驟S14，去除所述第一掩膜層，于所述第一絕緣層表面形成一第二掩膜層，圖案化所述第二掩膜層，于一預(yù)定位置形成工藝窗口；

步驟S15，通過所述第二掩膜層對所述第一絕緣層、所述第一氧化層和所述半導(dǎo)體基板進行刻蝕，停留于所述半導(dǎo)體基板中一預(yù)定深度，形成所述面板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中形成柵電極的方法包括以下步驟：

步驟S21，去除所述第二掩膜層，對所述半導(dǎo)體基板和所述面板表面進行離子注入，形成所述傳送通道；

步驟S22，于所述半導(dǎo)體基板和所述面板表面形成一第二氧化層和一第一傳導(dǎo)層；

步驟S23，對所述第一傳導(dǎo)層進行刻蝕，形成所述柵電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述位線連接口的方法包括以下步驟：

步驟S31，于所述柵電極表面、所述第二氧化層表面形成一第三氧化層；

步驟S32，平坦化所述第三氧化層，停留于所述第一絕緣層表面；

步驟S33，去除所述第一絕緣層和所述第一氧化層，形成一凹槽結(jié)構(gòu)；

步驟S34，于所述凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁上淀積一第四氧化層；

步驟S35，于所述第四氧化層表面淀積一第二傳導(dǎo)層；

步驟S36，平坦化所述第二傳導(dǎo)層，停留于所述第三氧化層表面，形成所述位線連接口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中形成電容器的方法包括以下步驟：

步驟S41，于所述位線連接口表面和所述第三氧化層表面形成一第二絕緣層、一第三掩膜層，圖案化所述第三掩膜層，于一預(yù)定位置形成工藝窗口；

步驟S42，通過所述第三掩膜層對所述第二絕緣層進行刻蝕，貫通所述第二絕緣層、所述第三氧化層和所述第二氧化層，停留至所述半導(dǎo)體基底表面；

步驟S43，于所述半導(dǎo)體基底上方淀積一第二傳導(dǎo)層；

步驟S44，平坦化所述第二傳導(dǎo)層，至露出所述第二絕緣層，形成電容器連接口；

步驟S45，于所述電容器連接口上方形成所述電容器。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述傳送通道高于所述半導(dǎo)體基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵電極至少一部分被硅化。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵電極至少一部分由鎢或鈦組成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述傳送通道包括垂直方向的成分和水平方向的成分。

10.一種減少設(shè)計面積的動態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于，包括：

一硅基底，所述硅基底上形成有一面板；

一分離溝，設(shè)置于所述硅基底內(nèi)部；

一位線連接口，設(shè)置于所述面板上方，與一位線相連接；

傳送通道，覆蓋于所述硅基底表面和所述面板兩側(cè)；

柵電極，設(shè)置于所述硅基底與所述面板夾角處的所述傳送通道上；

電容器，設(shè)置于所述硅基底上方，通過電容器連接口與所述傳送通道相連。