[發(fā)明專利]一種減少設計面積的動態(tài)隨機存儲器單元及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711434312.3
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108172578A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 金鎭湖;康太京
• 申請（專利權(quán)）人: 東芯半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種減少設計面積的動態(tài)隨機存儲器單元的制造方法，應用于半導體存儲裝置制造領(lǐng)域，其特征在于，每一所述動態(tài)隨機存儲器單元包括一晶體管、一電容器，所述晶體管的柵電極于字線電壓的控制下導通位線與所述電容器之間的傳送通道；每一對所述動態(tài)隨機存儲器單元通過以下步驟制備：

步驟S1，于一半導體基板上形成水平方向擴張的面板；

步驟S2，于所述面板兩側(cè)形成一所述晶體管的柵電極；

步驟S3，于所述面板上方一預定位置形成與所述位線產(chǎn)生電連接的位線連接口；

步驟S4，于所述柵電極的一側(cè)形成所述電容器，所述電容器與所述傳送通道產(chǎn)生電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中形成所述面板的方法包括以下步驟：

步驟S11，于所述半導體基板表面依次淀積一第一氧化層和一第一絕緣層；

步驟S12，于所述第一絕緣層表面淀積一第一掩膜層，圖案化所述第一掩膜層，于一預定位置形成工藝窗口；

步驟S13，通過所述第一掩膜層對所述第一絕緣層、所述第一氧化層和所述半導體基板進行刻蝕，停留于所述半導體基板中一預定深度，形成分離溝；

步驟S14，去除所述第一掩膜層，于所述第一絕緣層表面形成一第二掩膜層，圖案化所述第二掩膜層，于一預定位置形成工藝窗口；

步驟S15，通過所述第二掩膜層對所述第一絕緣層、所述第一氧化層和所述半導體基板進行刻蝕，停留于所述半導體基板中一預定深度，形成所述面板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中形成柵電極的方法包括以下步驟：

步驟S21，去除所述第二掩膜層，對所述半導體基板和所述面板表面進行離子注入，形成所述傳送通道；

步驟S22，于所述半導體基板和所述面板表面形成一第二氧化層和一第一傳導層；

步驟S23，對所述第一傳導層進行刻蝕，形成所述柵電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述位線連接口的方法包括以下步驟：

步驟S31，于所述柵電極表面、所述第二氧化層表面形成一第三氧化層；

步驟S32，平坦化所述第三氧化層，停留于所述第一絕緣層表面；

步驟S33，去除所述第一絕緣層和所述第一氧化層，形成一凹槽結(jié)構(gòu)；

步驟S34，于所述凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁上淀積一第四氧化層；

步驟S35，于所述第四氧化層表面淀積一第二傳導層；

步驟S36，平坦化所述第二傳導層，停留于所述第三氧化層表面，形成所述位線連接口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中形成電容器的方法包括以下步驟：

步驟S41，于所述位線連接口表面和所述第三氧化層表面形成一第二絕緣層、一第三掩膜層，圖案化所述第三掩膜層，于一預定位置形成工藝窗口；

步驟S42，通過所述第三掩膜層對所述第二絕緣層進行刻蝕，貫通所述第二絕緣層、所述第三氧化層和所述第二氧化層，停留至所述半導體基底表面；

步驟S43，于所述半導體基底上方淀積一第二傳導層；

步驟S44，平坦化所述第二傳導層，至露出所述第二絕緣層，形成電容器連接口；

步驟S45，于所述電容器連接口上方形成所述電容器。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述傳送通道高于所述半導體基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵電極至少一部分被硅化。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵電極至少一部分由鎢或鈦組成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述傳送通道包括垂直方向的成分和水平方向的成分。

10.一種減少設計面積的動態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于，包括：

一硅基底，所述硅基底上形成有一面板；

一分離溝，設置于所述硅基底內(nèi)部；

一位線連接口，設置于所述面板上方，與一位線相連接；

傳送通道，覆蓋于所述硅基底表面和所述面板兩側(cè)；

柵電極，設置于所述硅基底與所述面板夾角處的所述傳送通道上；

電容器，設置于所述硅基底上方，通過電容器連接口與所述傳送通道相連。