[發明專利]OLED白光器件及其制作方法在審
| 申請號: | 201711434161.1 | 申請日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN108183124A | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發明(設計)人: | 匡友元 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 白光器件 第二基板 第一基板 出射 制作 光線混合 交替設置 相對設置 制作工藝 白光 堆疊 多層 | ||
本發明公開了一種OLED白光器件及其制作方法。所述OLED白光器件包括:第一基板、第二基板、多個第一OLED和多個第二OLED,所述第一基板和所述第二基板相對設置,所述多個第一OLED和所述多個第二OLED設置于所述第一基板和所述第二基板之間,所述第一OLED和所述第二OLED交替設置,所述第一OLED出射的光線與所述第二OLED出射的光線混合成白光。本發明的OLED白光器件及其制作方法能夠簡化現有的OLED白光器件的多層堆疊的復雜制作工藝。
技術領域
本發明屬于發光器件技術領域,具體地講,涉及一種OLED白光器件及其制作方法。
背景技術
OLED作為新一代的固態自發光顯示技術,相較于液晶顯示具有超薄、響應度高、對比度高、功耗低等優勢,近幾年產業化速度突飛猛進。目前,OLED主流的制備技術和方法是蒸鍍法,即在真空腔體內加熱有機小分子材料,使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽,透過金屬光罩的開孔沉積在玻璃基板上。
OLED中小尺寸面板普遍采用RGB像素并置法蒸鍍,OLED大尺寸面板普遍采用WOLED(白光OLED)+彩色濾光片(CF)的放置制作,因此OLED白光器件成為大尺寸面板制作的重要途徑之一。而目前OLED白光器件多采用藍色發光層/黃色發光層(B/Y)、藍色發光層/黃色發光層/藍色發光層(B/Y/B)、藍色發光層/黃色發光層/黃色發光層(B/Y/Y)等雙色或三色發光層堆疊而成,蒸鍍工藝復雜,制程繁瑣,不利于大規模生產。
發明內容
為了解決上述現有技術存在的問題,本發明的目的在于提供一種OLED白光器件,所述OLED白光器件包括:第一基板、第二基板、多個第一OLED和多個第二OLED,所述第一基板和所述第二基板相對設置,所述多個第一OLED和所述多個第二OLED設置于所述第一基板和所述第二基板之間,所述第一OLED和所述第二OLED交替設置,所述第一OLED出射的光線與所述第二OLED出射的光線混合成白光。
進一步地,所述多個第一OLED陣列排布于所述第一基板的面向所述第二基板的表面上;所述多個第二OLED陣列排布于所述第二基板的面向所述第一基板的表面上;所述多個第一OLED在所述第二基板的面向所述第一基板的表面上的投影與所述多個第二OLED陣列排布。
進一步地,所述OLED白光器件還包括:反射膜層,所述反射膜層設置于所述多個第一OLED和所述第一基板的面向所述第二基板的表面之間。
進一步地,所述第二基板的背向所述第一基板的表面上設置于多個凸條,所述多個凸條平行且間隔設置。
根據本發明的另一方面,還提供了一種OLED白光器件的制作方法,其包括:在第一基板的第一表面上形成多個第一OLED;在所述第二基板的第一表面上形成多個第二OLED;在所述第二基板的第一表面上的相對兩側分別形成封裝膠;將所述第一基板的第一表面貼附于所述封裝膠上,以使所述第二OLED與所述第一OLED交替設置,所述第一OLED出射的光線與所述第二OLED出射的光線混合成白光。
進一步地,所述的OLED白光器件的制作方法還包括:在所述第一基板的第一表面和所述多個OLED之間制作形成反射膜層。
進一步地,所述的OLED白光器件的制作方法還包括:在第二基板的第二表面上形成多個凸條,所述多個凸條平行且間隔設置,所述第二基板的第二表面和第一表面相對設置。
進一步地,所述第一OLED為黃光OLED,所述第二OLED為藍光OLED。
本發明的有益效果:本發明的OLED白光器件及其制作方法能夠簡化現有的OLED白光器件的多層堆疊的復雜制作工藝。
附圖說明
通過結合附圖進行的以下描述,本發明的實施例的上述和其它方面、特點和優點將變得更加清楚,附圖中:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





