[發明專利]一種薄膜及其制備方法與QLED器件

有效

• 申請號: 201711433803.6
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN109962179B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 吳勁衡;吳龍佳;何斯納
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種薄膜及其制備方法與QLED器件，方法包括步驟：提供納米金屬氧化物溶液；向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物，得到改性的納米金屬氧化物溶液；將所述改性的納米金屬氧化物溶液制成薄膜，得到改性納米金屬氧化物薄膜。本發明通過對納米金屬氧化物進行改性，從而增加其電子傳輸效率、增加納米金屬氧化物表面的導電位點，進而提高QLED器件的整體電荷傳輸效率、優化量子點發光層和電子傳輸層的匹配等效果，提高整體器件的發光效率。

技術領域

本發明涉及QLED器件技術領域，尤其涉及一種薄膜及其制備方法與QLED器件。

背景技術

量子點作為一種無機半導體材料，具有色純度高、穩定性好等特點，以量子點作為發光層制備的量子點發光二極管（QLED）具有光譜連續可調、發光光譜窄、量子效率高等優點，在顯示領域有著光明的應用前景。

過渡金屬氧化物材料由于其擁有特殊的光、電、熱性能，多被用于制備QLED載流子傳輸層，尤其在電子傳輸層方面的應用受到了廣大科研人員的關注。目前，QLED的器件效率仍受材料的限制而難以達到商業化生產的要求，較低的外量子效率和載流子傳輸效率是限制其發展的主要原因，制備出具備高傳輸效率的傳輸層材料可以實現QLED器件整體性能的提高。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種薄膜及其制備方法與QLED器件，旨在解決現有QLED器件的電荷傳輸效率較低的問題。

本發明的技術方案如下：

一種薄膜的制備方法，其中，包括步驟：

提供納米金屬氧化物溶液；

向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物，得到改性的納米金屬氧化物溶液；

將所述改性的納米金屬氧化物溶液制成薄膜，得到改性納米金屬氧化物薄膜。

所述的薄膜的制備方法，其中，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物選自ZnO、TiO₂、SnO₂或ZrO₂。

所述的薄膜的制備方法，其中，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的粒徑大小在0.45μm以下。

所述的薄膜的制備方法，其中，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的形狀選自納米微球、納米線、納米棒、納米錐和納米空心球中的一種或多種。

所述的薄膜的制備方法，其中，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的濃度為5~30mg/mL。

所述的薄膜的制備方法，其中，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物的步驟中，所述有機雜環化合物選自含有噁唑、噁二唑、苯并噁唑、噻唑或噻二唑基團的化合物。

所述的薄膜的制備方法，其中，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物的步驟中，按所述有機雜環化合物與納米金屬氧化物的摩爾比為1:5~1:20，將所述有機雜環化合物與所述納米金屬氧化物溶液混合。

所述的薄膜的制備方法，其中，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物的步驟中，所述納米金屬氧化物溶液的溫度保持在50~100℃。

一種薄膜，其中，所述薄膜的材料為改性納米金屬氧化物，所述改性納米金屬氧化物包括納米金屬氧化物和結合在所述納米金屬氧化物表面的有機雜環化合物。

所述納米金屬氧化物選自ZnO、TiO₂、SnO₂或ZrO₂。

所述有機雜環化合物選自含有噁唑、噁二唑、苯并噁唑、噻唑或噻二唑基團的化合物。