[發(fā)明專利]一種薄膜及其制備方法與QLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711433803.6
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN109962179B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳勁衡;吳龍佳;何斯納
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供納米金屬氧化物溶液；所述納米金屬氧化物溶液中納米金屬氧化物為用于電子傳輸?shù)募{米金屬氧化物；

向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環(huán)化合物，得到改性的納米金屬氧化物溶液；其中，所述有機雜環(huán)化合物選自含有噁唑、噁二唑、苯并噁唑、噻唑或噻二唑基團的化合物；將所述改性的納米金屬氧化物溶液制成薄膜，得到改性納米金屬氧化物薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物選自ZnO、TiO₂、SnO₂或ZrO₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的粒徑大小在0.45μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的形狀選自納米微球、納米線、納米棒、納米錐和納米空心球中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的濃度為5～30mg/mL。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環(huán)化合物的步驟中，按所述有機雜環(huán)化合物與納米金屬氧化物的摩爾比為1:5～1:20，將所述有機雜環(huán)化合物與所述納米金屬氧化物溶液混合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環(huán)化合物的步驟中，所述納米金屬氧化物溶液的溫度保持在50～100℃。

8.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料為改性納米金屬氧化物，所述改性納米金屬氧化物包括納米金屬氧化物和結(jié)合在所述納米金屬氧化物表面的有機雜環(huán)化合物；所述有機雜環(huán)化合物選自含有噁唑、噁二唑、苯并噁唑、噻唑或噻二唑基團的化合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜，其特征在于，所述納米金屬氧化物選自ZnO、TiO₂、SnO₂或ZrO₂。

10.一種QLED器件，包括電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層為權(quán)利要求1-7任一項所述制備方法制備的薄膜或權(quán)利要求8-9所述的薄膜。