[發(fā)明專利]動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的刷新方法、設(shè)備以及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711433354.5
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN108231109B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔澤漢;陳明宇;黃永兵
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司;中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明實(shí)施例提供了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的刷新方法、設(shè)備以及系統(tǒng)。獲取DRAM的某一刷新單元的地址以及刷新單元的刷新信息，刷新單元為DRAM中進(jìn)行一次刷新所包括的存儲空間，刷新單元的刷新信息包括刷新單元的刷新周期；將刷新單元的地址以及刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過DRAM訪問請求將刷新單元的地址以及刷新單元的刷新信息寫入到刷新數(shù)據(jù)空間，刷新數(shù)據(jù)空間為所述DRAM中預(yù)設(shè)的，用來存儲DRAM中至少一個刷新單元的地址以及所述至少一個刷新單元的刷新信息的存儲空間。上述方案可根據(jù)刷新單元的刷新信息進(jìn)行針對性的刷新，解決采用統(tǒng)一周期進(jìn)行刷新所帶來的性能開銷以及能耗開銷比較大的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，尤其涉及一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的刷新方法、設(shè)備以及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)普遍采用廉價(jià)的、高密度的DRAM(Dynamic Random AccessMemory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)作為系統(tǒng)主存，又叫做內(nèi)存。DRAM利用電容里的電荷存儲數(shù)據(jù)，但這些電荷會隨著漏電的存在而不斷流失。因此，電容里的數(shù)據(jù)必須被定期讀出并重新寫入，以補(bǔ)償流失的電荷，這種操作叫做刷新(Refresh)。

DRAM有多個庫(Bank)組成，每個Bank為二維的存儲陣列，橫向稱為行(Row)，縱向稱為列(Column)。在刷新的過程中，每次DRAM會選定一個行(又成為內(nèi)存行)，把該行的全部數(shù)據(jù)提取到感應(yīng)放大器中(又稱為行緩沖區(qū)，Row Buffer)，這個過程叫做激活操作(Active)，接著在行緩沖區(qū)中完成對應(yīng)數(shù)據(jù)的讀寫，行緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)被重新寫入存儲陣列，稱為預(yù)充電操作(Pre-charge)，通過激活操作以及預(yù)充電操作就實(shí)現(xiàn)了整個刷新的過程。DRAM刷新給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)帶來較大的開銷，由于在刷新的過程中不能響應(yīng)正常的訪存請求，帶來了一定的性能開銷，同時，刷新操作是一種很耗電的操作，會帶來一定的能耗開銷。

現(xiàn)有的刷新方法是對DRAM的所有的行采用統(tǒng)一的周期進(jìn)行刷新，以保證漏電最嚴(yán)重的單元不丟失數(shù)據(jù)。

在完成本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在如下問題：隨著DRAM容量的不斷增大，采用統(tǒng)一的周期對DRAM的所有內(nèi)存行進(jìn)行刷新的方式，其性能開銷以及能耗開銷變得越來越大，從而嚴(yán)重影響到系統(tǒng)的能效。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，本發(fā)明實(shí)施例所提供的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的刷新方法、設(shè)備以及系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)在刷新的過程中，有效地降低開銷。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供了一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM刷新信息的處理方法，該方法包括：

獲取DRAM中刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息，所述刷新單元為所述DRAM中進(jìn)行一次刷新所包括的存儲空間，所述刷新單元的刷新信息包括所述刷新單元的刷新周期；

將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息寫入到刷新數(shù)據(jù)空間，所述刷新數(shù)據(jù)空間為所述DRAM中預(yù)設(shè)的存儲空間。

結(jié)合第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息通過DRAM訪問請求寫入到刷新數(shù)據(jù)空間中之前，所述方法還包括：在所述DRAM中分配所述預(yù)設(shè)的存儲空間作為所述刷新數(shù)據(jù)空間。

結(jié)合第一方面以及第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述獲取的刷新單元的地址包括所述刷新單元的物理地址；

所述將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息寫入到所述刷新數(shù)據(jù)空間，包括：