[發明專利]動態隨機存取存儲器DRAM的刷新方法、設備以及系統

有效

• 申請號: 201711433354.5
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN108231109B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 崔澤漢;陳明宇;黃永兵
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司;中國科學院計算技術研究所
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種動態隨機存取存儲器DRAM的刷新方法，其特征在于，包括：

從刷新數據空間中獲取多個連續的刷新單元的刷新信息，其中，所述刷新數據空間為所述DRAM中預設的用來存儲所述DRAM中多個刷新單元的刷新信息的存儲空間，所述刷新單元為所述DRAM中進行一次刷新所包括的存儲空間，所述刷新信息包括所述多個連續的刷新單元的刷新周期；

根據所述多個連續的刷新單元的刷新周期生成對所述多個連續的刷新單元的刷新命令；

根據所述刷新命令對所述多個連續的刷新單元執行Auto Refresh刷新操作。

2.根據權利要求1所述的刷新方法，其特征在于，還包括：

向所述DRAM發送沉默刷新命令，所述沉默刷新命令用于指示所述DRAM在執行刷新操作的過程中跳過對所述多個連續的刷新單元中存儲有無效數據的刷新單元。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述從刷新數據空間中獲取多個連續的刷新單元的刷新信息包括：

采用DRAM讀取命令從刷新數據空間中讀取所述多個連續的刷新單元的刷新信息。

4.一種動態隨機存取存儲器DRAM的刷新方法，其特征在于，

產生針對DRAM中刷新單元的刷新命令，所述刷新命令包括所述刷新單元的物理地址，所述刷新單元為所述DRAM中進行一次刷新所包括的存儲空間；

根據所述刷新單元的物理地址，采用DRAM讀取命令從刷新數據空間中讀取所述刷新單元的刷新信息，所述刷新單元的刷新信息包括所述刷新單元的刷新周期；

根據所述刷新信息執行對所述刷新單元的刷新操作；

其中，所述刷新信息還包括所述刷新單元之后的多個連續的刷新單元的刷新信息；

所述方法還包括：

接收對所述刷新單元之后的所述多個連續的刷新單元的刷新命令；

判斷所述多個連續的刷新單元中需要執行刷新操作的刷新單元的個數是否超過閾值；

當確定所述需要執行刷新操作的刷新單元的個數超過所述閾值時，對所述多個連續的刷新單元執行Auto Refresh刷新操作。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述刷新單元的物理地址，采用DRAM讀取命令從刷新數據空間中讀取所述刷新單元的刷新信息，包括：

根據所述刷新單元的物理地址，以及所述刷新數據空間中存儲的所述刷新單元的物理地址和所述刷新單元的刷新信息的對應關系，確定所述刷新單元的刷新信息，采用所述DRAM讀取命令從所述刷新數據空間讀取所述刷新單元的刷新信息。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其特征在于，還包括：

向所述DRAM發送沉默刷新命令，所述沉默刷新命令用于指示所述DRAM在執行刷新操作的過程中跳過對多個連續的刷新單元中存儲有無效數據的刷新單元。

7.一種動態隨機存取存儲器DRAM的刷新系統，其特征在于，所述系統包括：包含至少一個刷新單元的動態隨機存取存儲器DRAM，以及與所述DRAM連接的DRAM控制器，其中，所述DRAM控制器用于：

從刷新數據空間中獲取多個連續的刷新單元的刷新信息，其中，所述刷新數據空間為所述DRAM中預設的用來存儲所述DRAM中多個刷新單元的刷新信息的存儲空間，所述刷新單元為所述DRAM中進行一次刷新所包括的存儲空間，所述刷新信息包括所述多個連續的刷新單元的刷新周期；

根據所述多個連續的刷新單元的刷新周期生成對所述多個連續的刷新單元的刷新命令；

根據所述刷新命令對所述多個連續的刷新單元執行Auto Refresh刷新操作。

8.根據權利要求7所述的刷新系統，其特征在于，所述DRAM控制器還用于：

向所述DRAM發送沉默刷新命令，所述沉默刷新命令用于指示所述DRAM在執行刷新操作的過程中跳過對所述多個連續的刷新單元中存儲有無效數據的刷新單元。