[發明專利]一種透明導電WC薄膜及其室溫生長方法有效
| 申請號: | 201711433026.5 | 申請日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN108182987B | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 呂建國;胡睿 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;C23C14/35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 透明導電 汞燈 微晶 生長 等離子體氣氛 等離子體增強 可見光透射率 射頻磁控濺射 本底真空度 非晶態基體 六方相結構 原子百分比 工作氣體 混合氣體 雙重作用 無序分布 顯微硬度 電阻率 反應室 非晶態 結晶態 波長 靶材 襯底 沉積 制備 合金 照射 | ||
本發明公開了一種透明導電WC薄膜,該WC薄膜的基體為非晶態,在非晶態基體中無序分布著高密度的結晶態的WC微晶,WC微晶尺寸約5nm,為六方相結構;WC薄膜可見光透射率高達85%,電阻率低至4.7×10–3Ωcm;WC薄膜中的W:C的原子百分比為53.1:46.9;透明導電WC薄膜的顯微硬度為21GPa。本發明還公開了該WC薄膜的制備方法:采用射頻磁控濺射方法,以WC合金為靶材,Ar?CH4為工作氣體;當反應室抽至本底真空度高于1×10–4Pa后,通入Ar?CH4混合氣體,WC薄膜在Ar和CH4的等離子體氣氛中室溫生長;在沉積過程中采用汞燈照射襯底,汞燈的波長為185 nm和254 nm。通過等離子體增強和紫外增強的雙重作用,提高室溫生長WC薄膜的結晶質量。
技術領域
本發明屬于碳化物半導體技術領域,尤其涉及一種透明導電WC準晶態薄膜及其室溫生長方法。
背景技術
碳化鎢(WC)是一種典型的硬質合金材料,為簡單六方結構,六方WC直到3049K的溫度下都是穩定的。WC具有非常優異的物理和化學性能,如高硬度,高耐磨,熱穩定性和化學穩定性好,抗氧化性好,熱膨脹系數低,彈性模量高,具有一定程度的塑性,并且WC被大多數粘結相浸潤的性能優于其它碳化物,且比其它碳化物韌性好。此外,WC還具有高導熱性和高導電性,有利于切削應用。鑒于上述優點,WC作為一種硬質耐磨涂層,廣泛應用于國防軍工、航空航天、冶金、石化、電力、交通運輸、水利、海洋開發等軍事和民用工業領域,成為解決重要零部件耐磨耐蝕與防護的關鍵技術。目前,WC硬質合金涂層的主流制備技術是熱噴涂方法,包括:等離子體噴涂、火焰噴涂、電弧噴涂、爆炸噴涂和超音速噴涂等。
WC除了作為硬質合金應用外,它還是一種微電子材料,可在微電子領域有廣闊的應用前景,如作為微電子器件的擴散阻擋層、透明導電薄膜等。WC薄膜有晶態和非晶態兩種,晶態WC具有更好的導熱和導電特性,非晶態WC可具有更高的表面平整度和均勻性,二者各具優勢,在微電子領域均有較廣闊的應用前景。目前,人們對WC的研究和開發主要集中于硬質合金領域,而對WC在微電子和光電子領域的研究很少。
在微電子和光電子領域,物理氣相沉積(PVD)是一類廣泛應用的生長技術,其中比較典型的是磁控濺射。采用磁控濺射制備WC薄膜,通常,在600℃以上可生長出晶態WC薄膜,低于600℃一般得到的是非晶WC薄膜,室溫下生長的為高阻非晶WC薄膜。若能在室溫條件下制備出具有優良光電性能的WC薄膜,不僅可以減少工藝過程,節約生長時間和能耗,而且可以拓展WC薄膜的應用領域,如適用于有機聚合物柔性基板等。
基于WC薄膜的研發現狀,我們提出一種室溫條件下生長WC薄膜的方法,采用磁控濺射方法,制備出在非晶基體上分布有微晶的WC薄膜,不僅具有高表面平整度,而且具有良好的透明導電特性,同時具有硬質合金的特性,還可形成柔性WC薄膜,可在微電子和光電子領域獲得廣泛應用。
發明內容
本發明的目的是為了拓展WC材料應用領域,提供一種透明導電WC薄膜及其室溫生長方法。
本發明提供了一種透明導電WC薄膜,該WC薄膜的基體為非晶態,在非晶態基體中無序分布著高密度的結晶態的WC微晶,WC微晶尺寸約5nm,為六方相結構;WC薄膜可見光透射率高達85%,電阻率低至4.7×10–3Ωcm;WC薄膜中的W:C的原子百分比為53.1:46.9;透明導電WC薄膜的顯微硬度為21GPa。
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