[發明專利]一種透明導電WC薄膜及其室溫生長方法

有效

• 申請號: 201711433026.5
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108182987B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 呂建國;胡睿
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;C23C14/35
• 代理公司: 33231 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 梁群蘭<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種透明導電WC薄膜，其特征在于：所述WC薄膜的基體為非晶態WC，在非晶態WC基體中無序分布著高密度的結晶態的WC微晶，為六方相結構；所述WC薄膜中的W:C的原子百分比為53.1:46.9。

2.根據權利要求1所述一種透明導電WC薄膜，其特征在于：所述WC微晶尺寸5nm。

3.根據權利要求1所述一種透明導電WC薄膜，其特征在于：所述WC薄膜可見光透射率達85％，電阻率低至4.7×10^–3Ωcm。

4.根據權利要求1所述一種透明導電WC薄膜，其特征在于：所述WC薄膜的顯微硬度為21GPa。

5.制備權利要求1～4任一項所述一種透明導電WC薄膜的方法，采用射頻磁控濺射方法，其特征在于，包含如下步驟：

以WC合金為靶材，Ar-CH₄為工作氣體；襯底在使用前由Ar等離子體轟擊處理；當反應室抽至本底真空度高于1×10^–4Pa后，通入Ar-CH₄混合氣體，沉積過程中氣體壓強保持在1.0Pa；以壓強計，混合氣體中CH₄含量為6％；所述WC薄膜在Ar和CH₄的等離子體氣氛中室溫生長；生長過程中，靶材旋轉速率為30轉/分鐘，襯底旋轉速率為40轉/分鐘；同時在沉積過程中采用汞燈照射襯底，汞燈的發光波長包括185nm和254nm，其中波長185nm的占10％，波長254nm的占90％。