[發明專利]一種像素界定層及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201711431426.2 | 申請日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN109962086B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 張滔;向超宇;李樂;辛征航;王雄志 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 界定 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種像素界定層及其制備方法、顯示裝置,所述像素界定層具有壩體和壩體側面圍成的界定區,所述壩體的主體材料為疊氮化環氧樹脂,所述壩體側面分為上部側面和下部側面,所述上部側面接枝有疏水基團,所述下部側面接枝有親水基團。本發明解決了現有像素界定層難以實現打印均勻薄膜的問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素界定層及其制備方法。
背景技術
量子點具有發光顏色易于調節、色彩飽和度高、可溶液加工、高穩定性等諸多優點,使得量子點發光二極管(QLED)被視為下一代顯示技術的有力競爭者。現有技術中,制備量子點電致發光器件的方法主要有噴墨打印、轉印等方式,其中噴墨打印技術能將含發光功能材料的墨水精確地噴到像素區中,形成發光功能層,能有效提高像素分辨率,但是墨水在像素區內難以形成厚度均一的薄膜。
在噴墨打印器件的基板上通常會制作像素界定層,用來限定墨滴精確地滴入指定的像素區域,對像素界定層進行親水/疏水分層處理能夠提高打印薄膜的均勻性,常見的制備親/疏水兩層結構的像素界定層的方法主要有兩種:一種是采用分步沉積法分別制備不同親疏水性的上下部分,這種技術步驟繁瑣,需要用到不同的沉積設備,且沉積兩種不同的材料易存在界面問題,發生分層;另外一種則是先制備單體像素界定層,在上半或下部分用“涂膜”的方式,形成疏水涂層或親水涂層,然而由于涂膜與像素界定層之間吸附力弱,在打印過程中容易被打印墨水沖洗掉,存在穩定性的問題;另外,通常會使用形狀記憶聚合物來制作像素界定層,其同時記錄兩種形狀,以滿足對不同結構像素界定層的制備工藝需要,但是普通的形狀記憶聚合物在制作成像素界定層后,難以對表面進行改性,難以形成上部分疏水性、下部分親水性的結構,也同樣不利于控制打印薄膜的均勻性。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種像素界定層及其制備方法,旨在解決現有像素界定層難以實現打印均勻薄膜的問題。
本發明的另一目的在于提供一種含有上述像素界定層的顯示裝置。
本發明的技術方案如下:
一種像素界定層,其中,所述像素界定層具有壩體和壩體側面圍成的界定區,所述壩體的主體材料為疊氮化環氧樹脂,所述壩體側面分為上部側面和下部側面,所述上部側面接枝有疏水基團,所述下部側面接枝有親水基團。
所述的像素界定層,其中,所述親水基團為含2~7個碳原子的烴基,且所述烴基上含羥基或羧基。
所述的像素界定層,其中,所述疏水基團為含8~18個碳原子的烴基。
一種像素界定層的制備方法,其中,包括步驟:
提供初始像素界定層,所述初始像素界定層具有壩體和壩體側面圍成的界定區,所述壩體的主體材料為疊氮化環氧樹脂,所述壩體側面分為上部側面和下部側面;
將親水性的炔類化合物加入初始像素界定層的界定區,使親水性的炔類化合物與界定區的下部側面發生加成反應,在下部側面接枝親水基團;
將疏水性的炔類化合物加入下部側面接枝親水基團的界定區,使疏水性的炔類化合物與界定區的上部側面發生加成反應,在上部側面接枝疏水基團。
所述的像素界定層的制備方法,其中,所述將親水性的炔類化合物加入初始像素界定層的界定區,使親水性的炔類化合物與界定區的下部側面發生加成反應,在下部側面接枝親水基團的方法,包括步驟:
將親水性的炔類化合物加入初始像素界定層的界定區至高度h1,使親水性的炔類化合物與界定區的下部側面發生加成反應,在下部側面接枝親水基團;其中h1像素界定層的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





