[發明專利]一種像素界定層及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201711431426.2
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN109962086B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 張滔;向超宇;李樂;辛征航;王雄志
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種像素界定層，其特征在于，所述像素界定層具有壩體和壩體側面圍成的界定區，所述壩體的主體材料為疊氮化環氧樹脂，所述壩體側面分為上部側面和下部側面，所述上部側面接枝有疏水基團，所述下部側面接枝有親水基團，所述疏水基團通過所述疊氮化環氧樹脂中的疊氮基接枝在所述上部側面上，所述親水基團通過所述疊氮化環氧樹脂中的疊氮基接枝在所述下部側面上。

2.根據權利要求1所述的像素界定層，其特征在于，所述親水基團為含2～7個碳原子的烴基，且所述烴基上含羥基或羧基。

3.根據權利要求1所述的像素界定層，其特征在于，所述疏水基團為含8～18個碳原子的烴基。

4.一種像素界定層的制備方法，其特征在于，包括步驟：提供初始像素界定層，所述初始像素界定層具有壩體和壩體側面圍成的界定區，所述壩體的主體材料為疊氮化環氧樹脂，所述壩體側面分為上部側面和下部側面；

將親水性的炔類化合物加入初始像素界定層的界定區，使親水性的炔類化合物與界定區的下部側面發生加成反應，在下部側面接枝親水基團；

將疏水性的炔類化合物加入下部側面接枝親水基團的界定區，使疏水性的炔類化合物與界定區的上部側面發生加成反應，在上部側面接枝疏水基團。

5.根據權利要求4所述的像素界定層的制備方法，其特征在于，所述將親水性的炔類化合物加入初始像素界定層的界定區，使親水性的炔類化合物與界定區的下部側面發生加成反應，在下部側面接枝親水基團的方法，包括步驟：

將親水性的炔類化合物加入初始像素界定層的界定區至高度h1，使親水性的炔類化合物與界定區的下部側面發生加成反應，在下部側面接枝親水基團；其中h1像素界定層的高度。

6.根據權利要求4所述的像素界定層的制備方法，其特征在于，所述將疏水性的炔類化合物加入下部側面接枝親水基團的界定區，使疏水性的炔類化合物與界定區的上部側面發生加成反應，在上部側面接枝疏水基團的方法，包括步驟：

將疏水性的炔類化合物加入下部側面接枝親水基團的界定區至高度h2，使疏水性的炔類化合物與界定區的上部側面發生加成反應，在上部側面接枝疏水基團；其中h2≥像素界定層的高度。

7.根據權利要求5所述的像素界定層的制備方法，其特征在于，h1為像素界定層高度的30％～60％。

8.根據權利要求4所述的像素界定層的制備方法，其特征在于，所述親水性的炔類化合物為炔醇或炔酸。

9.根據權利要求4所述的像素界定層的制備方法，其特征在于，所述疏水性的炔類化合物為炔烴。

10.根據權利要求4所述的像素界定層的制備方法，其特征在于，所述加成反應中，以亞銅離子作為催化劑。

11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括的顯示基板，所述顯示基板包括權利要求1-3任一項所述的像素界定層或權利要求4-10任一項所述的制備方法制備的像素界定層。