[發明專利]一種H型溫度補償型石英晶體振蕩器

在審

• 申請號: 201711431075.5
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN107834993A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 奉建華
• 申請（專利權）人: 東晶銳康晶體（成都）有限公司
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙)51218
• 代理人: 袁英

技術領域

本發明涉及石英晶體振蕩器領域，特別是一種H型溫度補償型石英晶體振蕩器。

背景技術

石英晶體諧振器簡稱為晶振，它是利用具有壓電效應的石英晶體片制成的。這種石英晶體片受到外加交變電場的作用時會產生機械振動，當交變電場的頻率與石英晶體的固有頻率相同時，便會輸出穩定的頻率。

溫度補償型石英晶體振蕩器是一種將溫度補償芯片與石英晶體諧振器封裝在一起的石英晶體振蕩器。該H型溫度補償型石英晶體振蕩器溫度補償芯片與石英晶體封裝在一起，提升了整個溫度區域內的頻率精度，常用于通信與智能系統中。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺點，提供一種H型溫度補償型石英晶體振蕩器。

本發明的目的通過以下技術方案來實現：一種H型溫度補償型石英晶體振蕩器，包括陶瓷基座，石英晶體，溫度補償芯片，所述的陶瓷基座的上表面的開設有主凹槽，在主凹槽底部開設有凹槽，在凹槽內形成一個臺階，石英晶體一端通過膠點安裝在主凹槽的臺階上，石英晶體傾斜設置，在陶瓷基座的下表面開設有輔凹槽，在輔凹槽內放置有溫度補償芯片，溫度補償芯片置于輔凹槽的上表面，在溫度補償芯片的下方設置有用于保護溫度補償芯片的填充層。

具體地，所述的主凹槽與輔凹槽之間的陶瓷基座上安裝有導電柱，導電柱的一端與石英晶體連接，導電柱的另一端與溫度補償芯片連接。

具體地，所述的導電柱與溫度補償芯片之間通過焊接連接。

具體地，所述的主凹槽上設置有密封蓋板。

本發明的有益效果如下：在較小的厚度范圍內將石英晶體與溫度補償芯片封裝在一起，使石英晶片與補償芯片之間僅相隔一層薄的陶瓷，陶瓷具有良好的導熱性能，如此石英晶片和溫補芯片之間的溫度一致性非常好，有利于提升溫度補償晶體振蕩器整個溫區的頻率精度。

附圖說明

圖1 為本發明的結構示意圖；

圖中：1-主凹槽，2-石英晶體，3-蓋板，4-陶瓷基座，5-溫度補償芯片，6-填充層，7-輔凹槽，8-膠點。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明做進一步的描述，但本發明的保護范圍不局限于以下所述。

如圖1所示，一種H型溫度補償型石英晶體振蕩器，包括陶瓷基座4、石英晶體2和溫度補償芯片5，石英晶體2通過膠點8安裝于置于陶瓷基座4上表面開設的主凹槽1內，溫度補償芯片5置于輔凹槽7的上表面，導電柱與溫度補償芯片5之間通過焊接連接，在輔凹槽7內填充有用于保護溫度補償芯片5和填充層6。

進一步地，所述的主凹槽1與輔凹槽7之間的陶瓷基座4上安裝有導電柱，導電柱的一端與石英晶體2連接，導電柱的另一端與溫度補償芯片5連接，導電柱在陶瓷基座4上可以移動。

進一步地，所述的導電柱與溫度補償芯片5之間通過焊接連接。

進一步地，所述的主凹槽1上設置有密封蓋板3，蓋板將石英晶體密封在主凹槽內，形成封閉的空間。

本發明的工作過程如下：在陶瓷基座4的上表面和下表面分別設置有主凹槽1和輔凹槽7，主凹槽1用于放置石英晶體2，輔凹槽7用于放置溫度補償芯片5，達到將石英晶體2和溫度補償芯片5集成在陶瓷基座4內的目的，設置的填充層6可以保護溫度補償芯片5，在較小的厚度范圍內將石英晶體2與溫度補償芯片5封裝在一起，使石英晶體2與溫度補償芯片5之間僅相隔一層薄的陶瓷，陶瓷具有良好的導熱性能，如此石英晶體2和溫度補償芯片5之間的溫度一致性非常好，有利于提升溫度補償晶體振蕩器整個溫區的頻率精度。