[發明專利]控制系統、方法及晶圓清洗裝置在審
| 申請號: | 201711425986.7 | 申請日: | 2017-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN108172533A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 田知玲;矯健;舒福璋;史霄;侯為萍 | 申請(專利權)人: | 北京半導體專用設備研究所(中國電子科技集團公司第四十五研究所) |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王文紅 |
| 地址: | 100000 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感測設備 晶圓清洗裝置 參數信號 調節設備 調節信號 控制系統 控制器 清洗槽 被控 晶圓清洗 目標工藝 清洗效果 接收控制器 感測目標 通信連接 感測 緩解 | ||
1.一種控制系統,其特征在于,包括:感測設備、調節設備和控制器,所述控制器分別與所述感測設備和所述調節設備通信連接,其中,
所述感測設備安裝在被控清洗槽上,用于感測目標工藝的參數信號,其中,所述目標工藝為所述被控清洗槽實施晶圓清洗的工藝;
所述控制器用于接收所述感測設備感測的所述參數信號,并根據所述參數信號生成調節信號;
所述調節設備安裝在所述被控清洗槽上,用于接收所述控制器生成的所述調節信號,并根據所述調節信號對所述目標工藝進行調節。
2.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述感測設備包括液位傳感器,其中,
所述液位傳感器安裝在所述被控清洗槽的槽內,用于感測液位信號,其中,所述液位信號攜帶有所述被控清洗槽所裝液體的液位信息;
所述控制器用于接收所述液位傳感器感測的所述液位信號,并根據所述液位信號生成第一調節信號;
所述調節設備包括第一控制閥,所述第一控制閥設置在所述被控清洗槽的目標管道上,用于接收所述第一調節信號,并根據所述第一調節信號調節閥門的開閉,以對所述被控清洗槽所裝液體的液位進行調節,其中,所述目標管道為所述被控清洗槽的補液管道,和/或,所述被控清洗槽的漏液管道。
3.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述感測設備包括流量傳感器,其中,
所述流量傳感器安裝在所述被控清洗槽的目標管道上,所述流量傳感器用于感測流量信號,其中,所述流量信號攜帶有所述目標管道內所流液體的流量信息;
所述控制器還用于接收所述流量傳感器感測到的所述流量信號,并根據流量信號生成第二調節信號;
所述調節設備包括第二控制閥,所述第二控制閥設置在所述目標管道上,所述第二控制閥用于接收所述第二調節信號,并根據所述第二調節信號調節閥門的導通角度,以對所述目標管道內所流液體的流量進行調節,其中,
所述目標管道為所述被控清洗槽的補液管道,和/或,所述被控清洗槽的漏液管道。
4.根據權利要求3所述的系統,其特征在于,所述目標管道包括所述被控清洗槽的補液管道,且所述目標管道包括多個子管道,其中,
所述子管道用于向所述被控清洗槽補充清洗液的組成液體;
每個所述子管道上安裝有所述流量傳感器和所述第二控制閥。
5.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述感測設備包括對射傳感器,其中,
所述對射傳感器安裝在所述被控清洗槽的槽內,用于感測歸位信號,其中,所述歸位信號表示所述被控清洗槽內的晶圓卡槽內是否被放入待清洗晶圓;
所述控制器用于接收所述對射傳感器感測的所述歸位信號,并根據所述歸位信號生成第三調節信號;
所述調節設備包括第一控制開關,所述第一控制開關和驅動電機連接,用于接收所述第三調節信號,并根據所述第三調節信號調節所述驅動電機的工作狀態,以對所述待清洗晶圓和所述晶圓卡槽的相對位置進行調節,其中,所述驅動電機為驅動待清洗晶圓移動的電機。
6.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述感測設備包括溫度傳感器,其中,
所述溫度傳感器安裝在所述被控清洗槽的過濾管道內,用于感測溫度信號,其中,所述溫度信號攜帶有所述過濾管道所流清洗液的溫度信息;
所述控制器用于接收所述溫度傳感器感測的所述溫度信號,并根據所述溫度信號生成第四調節信號;
所述調節設備包括第二控制開關,所述第二控制開關和調溫設備連接,用于接收所述第四調節信號,并根據所述第四調節信號調節所述調溫設備的工作狀態,以對所述被控清洗槽內的清洗液溫度進行調節,其中,所述調溫設備為用于對所述控清洗槽內的清洗液進行調溫的設備。
7.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,還包括報警設備,所述報警設備和所述控制器通信連接,其中,
所述控制器還用于根據所述參數信號生成報警信號;
所述報警設備用于接收所述控制器生成的報警信號,并根據所述報警信號進行報警。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





