[發明專利]高致密度薄型壓電陶瓷霧化介質片的制造方法

在審

• 申請號: 201711425906.8
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN108238788A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 張田才;吳云南;吳壽貴;王學杰;秦潔
• 申請（專利權）人: 貴州振華紅云電子有限公司;貴州振華電子信息產業技術研究有限公司
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/622
• 代理公司: 貴陽春秋知識產權代理事務所(普通合伙) 52109
• 代理人: 楊云

1.一種高致密度薄型壓電陶瓷霧化介質片的制造方法，其特征在于方法如下：

1)將平均粒度為0.4～3毫米的混合原料投入超細攪拌球磨機研磨4小時，然后轉入超細砂磨機再研磨2±0.1小時，得平均粒度為0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；

所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：Pb₃O₄ 57.6～75、ZrO₂ 12.2～26、TiO₂8.2～23.5、Sb₂O₃ 0～7、Nb₂O₅ 1～5、SrCO₃ 7～15、Bi₂O₃ 0～5、MnO₂ 0.4～3、La₂O₃ 0～2；

2)將所述生瓷料與聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混勻制成生瓷料面團；

3)將上述生瓷料面團用軋膜機輥軋1～15小時，得0.5～0.8毫米厚的膜片；

4)將上述膜片制成介質體，陳腐12小時；

5)將經過臣陳腐的介質體用軋膜機精軋至0.4～0.6毫米厚，然后沖壓成環形圓片；

6)將上述環形圓片按20～30片疊合整齊放在純度為99％的氧化鋁承燒板上、送入1210～1250℃的燒結爐中燒制成陶瓷介質片，保溫2～2.5小時。

2.根據權利要要求1所述的高致密度薄型壓電陶瓷霧化介質片的制造方法，其特征在于所述混合原料中各原料的配比為：Pb₃O₄ 66.3、ZrO₂ 19.1、TiO₂ 15.8、Sb₂O₃ 3.5、Nb₂O₅ 3、SrCO₃ 11、Bi₂O₃ 2.5、MnO₂ 1.7、La₂O₃ 1。