[發(fā)明專利]導(dǎo)電框架及功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711421677.2
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN107946276A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳文彬;羅小春
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 石佩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種導(dǎo)電框架以及具有所述導(dǎo)電框架的功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件在電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，而在具體的應(yīng)用過程中，需要將半導(dǎo)體封裝起來。串聯(lián)封裝可以提高半導(dǎo)體的電器特性如反向耐壓，并組成各類功率模塊以配合電路設(shè)計的要求。現(xiàn)有半導(dǎo)體串聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)中固線區(qū)域都位于導(dǎo)電框架下端與延伸引腳連接處，且所占面積較大，擠壓了導(dǎo)電框架上焊接芯片區(qū)域的面積，另外，由于固線區(qū)域與焊接芯片區(qū)域相鄰，在焊接芯片時多余的焊錫很容易流入固線區(qū)域而影響固線作業(yè)，反之亦然，不能滿足電力電子領(lǐng)域高功率密度的迫切需要。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，本發(fā)明提供一種導(dǎo)電框架及功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)。

一種導(dǎo)電框架，用于串聯(lián)半導(dǎo)體芯片，所述導(dǎo)電框架包括第一導(dǎo)電框架、第二導(dǎo)電框架和第三導(dǎo)電框架，所述第一導(dǎo)電框架、所述第二導(dǎo)電框架和所述第三導(dǎo)電框架相互絕緣間隔排列，所述第一導(dǎo)電框架包括第一芯片區(qū)和由所述第一芯片區(qū)延伸出的第一引腳；所述第二導(dǎo)電框架包括第二芯片區(qū)、由所述第二芯片區(qū)延伸出的第二引腳以及第一固線區(qū)，所述第一固線區(qū)位于所述第二芯片區(qū)背離所述第二引腳的一側(cè)，所述第二芯片區(qū)與所述第一固線區(qū)之間具有凹陷結(jié)構(gòu)，所述凹陷結(jié)構(gòu)能夠容納所述第二芯片區(qū)及/或所述第一固線區(qū)焊接作業(yè)時多余的焊料；所述第三導(dǎo)電框架包括第二固線區(qū)和由第二固線區(qū)延伸出的第三引腳。

在其中一個實施例中，所述凹陷結(jié)構(gòu)為V形凹槽、U形凹槽、矩形凹槽中的任意一種。

在其中一個實施例中，還包括用于機(jī)械連接的通孔，所述通孔位于所述導(dǎo)電框架的一端。

在其中一個實施例中，所述第一導(dǎo)電框架和第二導(dǎo)電框架的端部相對的一側(cè)分別開設(shè)半圓形的缺口，所述缺口圍成所述通孔。

在其中一個實施例中，所述第二固線區(qū)的寬度大于所述第三引腳的寬度。

一種功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體芯片、第二半導(dǎo)體芯片、以及如上述實施例任一所述的導(dǎo)電框架，所述第一半導(dǎo)體芯片電連接地貼附于所述第一芯片區(qū)并與所述第一固線區(qū)電連接，所述第二半導(dǎo)體芯片電連接地貼附于所述第二芯片區(qū)并與所述第二固線區(qū)電連接。

在其中一個實施例中，所述第一半導(dǎo)體芯片的第一極貼附于所述第一芯片區(qū)，第二極與所述第二導(dǎo)電框架上的第一固線區(qū)電連接；所述第二半導(dǎo)體芯片與所述第一半導(dǎo)體芯片的第一極極性相同的一極貼附于所述第二芯片區(qū)，另一極與所述第三導(dǎo)電框架上的第二固線區(qū)電連接。

在其中一個實施例中，所述半導(dǎo)體芯片通過焊接的方式貼附于所述導(dǎo)電框架。

在其中一個實施例中，所述第一半導(dǎo)體芯片通過金屬導(dǎo)線與所述第一固線區(qū)電連接；及/或，所述第二半導(dǎo)體芯片通過金屬導(dǎo)線與所述第二固線區(qū)電連接。

在其中一個實施例中，所述金屬導(dǎo)線為銅線或鋁線。

上述導(dǎo)電框架，將其中一個導(dǎo)電框架上的固線區(qū)域設(shè)計在該導(dǎo)電框架上焊接芯片區(qū)域背離延伸引腳的一端，節(jié)省空間，并且有效增加了該導(dǎo)電框架可焊接芯片的面積，同時，設(shè)計出位于焊接芯片區(qū)域和固線區(qū)域之間的凹陷結(jié)構(gòu)，使得焊接芯片區(qū)域與固線區(qū)域能夠獨立作業(yè)互不影響，保證了焊接能力和固線能力的可靠性。

上述功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，縮小了半導(dǎo)體串聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)的空間，且固線的走向合理整齊不沖突，滿足了電力電子領(lǐng)域高功率密度以及高可靠性的要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電框架結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的二極管串聯(lián)封裝原理圖。

具體實施方式

請參閱圖1，在一個實施例中，提供了一種導(dǎo)電框架300，用于串聯(lián)半導(dǎo)體芯片，所述導(dǎo)電框架300包括第一導(dǎo)電框架310、第二導(dǎo)電框架320和第三導(dǎo)電框架330，所述第一導(dǎo)電框架310、所述第二導(dǎo)電框架320和所述第三導(dǎo)電框架330相互絕緣間隔排列。