[發(fā)明專利]導(dǎo)電框架及功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711421677.2
• 申請(qǐng)日: 2017-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN107946276A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳文彬;羅小春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 石佩

1.一種導(dǎo)電框架，用于串聯(lián)半導(dǎo)體芯片，所述導(dǎo)電框架包括第一導(dǎo)電框架、第二導(dǎo)電框架和第三導(dǎo)電框架，所述第一導(dǎo)電框架、所述第二導(dǎo)電框架和所述第三導(dǎo)電框架相互絕緣間隔排列，其特征在于：

所述第一導(dǎo)電框架包括第一芯片區(qū)和由所述第一芯片區(qū)延伸出的第一引腳；

所述第二導(dǎo)電框架包括第二芯片區(qū)、由所述第二芯片區(qū)延伸出的第二引腳以及第一固線區(qū)，所述第一固線區(qū)位于所述第二芯片區(qū)背離所述第二引腳的一側(cè)，所述第二芯片區(qū)與所述第一固線區(qū)之間具有凹陷結(jié)構(gòu)，所述凹陷結(jié)構(gòu)能夠容納所述第二芯片區(qū)及/或所述第一固線區(qū)焊接作業(yè)時(shí)多余的焊料；

所述第三導(dǎo)電框架包括第二固線區(qū)和由第二固線區(qū)延伸出的第三引腳。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電框架，其特征在于，所述凹陷結(jié)構(gòu)為V形凹槽、U形凹槽、矩形凹槽中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電框架，其特征在于，還包括用于機(jī)械連接的通孔，所述通孔位于所述導(dǎo)電框架的一端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電框架，其特征在于，所述第一導(dǎo)電框架和第二導(dǎo)電框架的端部相對(duì)的一側(cè)分別開設(shè)半圓形的缺口，所述缺口圍成所述通孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電框架，其特征在于，所述第二固線區(qū)的寬度大于所述第三引腳的寬度。

6.一種功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體芯片、第二半導(dǎo)體芯片、以及如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電框架，所述第一半導(dǎo)體芯片電連接地貼附于所述第一芯片區(qū)并與所述第一固線區(qū)電連接，所述第二半導(dǎo)體芯片電連接地貼附于所述第二芯片區(qū)并與所述第二固線區(qū)電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片的第一極貼附于所述第一芯片區(qū)，第二極與所述第二導(dǎo)電框架上的第一固線區(qū)電連接；所述第二半導(dǎo)體芯片與所述第一半導(dǎo)體芯片的第一極極性相同的一極貼附于所述第二芯片區(qū)，另一極與所述第三導(dǎo)電框架上的第二固線區(qū)電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片通過焊接的方式貼附于所述導(dǎo)電框架。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片通過金屬導(dǎo)線與所述第一固線區(qū)電連接；及/或，所述第二半導(dǎo)體芯片通過金屬導(dǎo)線與所述第二固線區(qū)電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體串聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線為銅線或鋁線。