[發(fā)明專利]垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)及串聯(lián)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711418969.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108122899A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曲曉東;朱浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南昌易美光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L33/62 |
| 代理公司: | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330000 江西省南昌市高新技術(shù)產(chǎn)*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 垂直結(jié)構(gòu)芯片 串聯(lián)結(jié)構(gòu) 朝上 電極 基板 預(yù)制 串聯(lián) 焊接金線 打線 金線 焊接 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)及串聯(lián)方法,其中,該串聯(lián)結(jié)構(gòu)中包括:包括:兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片、預(yù)制基板以及金線,其中,在兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片中,包括一p電極朝上的垂直結(jié)構(gòu)芯片和一n電極朝上的垂直結(jié)構(gòu)芯片;兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在預(yù)制基板上,朝上的電極通過(guò)焊接金線的方式連接,完成垂直結(jié)構(gòu)芯片的串聯(lián)連接。這樣,在串聯(lián)連接的過(guò)程中,垂直結(jié)構(gòu)芯片之間無(wú)需通過(guò)打線的方式連接,大大降低了成本的同時(shí)提高了可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)及串聯(lián)方法。
背景技術(shù)
LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管 ) 是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件,其發(fā)光原理是電激發(fā)光,即在 PN 結(jié)上加正向電流后,自由電子與空穴復(fù)合而發(fā)光,從而直接把電能轉(zhuǎn)化為光能。
垂直結(jié)構(gòu)LED芯片是指兩個(gè)電極分布在外延片的異側(cè),以圖形化電極和全部的p型限制層作為第二電極,使得電流幾乎全部垂直流過(guò)LED外延層,極少橫向流動(dòng)的電流。以此,垂直結(jié)構(gòu)LED芯片1在做串聯(lián)時(shí),通常采用圖1和圖2所示的方法,將兩顆垂直芯片的P電極與N電極通過(guò)打金線2的方式連接;且為了將下方電極(p電極)引出以方便打線,還需要在基板上設(shè)計(jì)電路并預(yù)留焊盤(pán)3位置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)及串聯(lián)方法,有效解決了現(xiàn)有垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)過(guò)程中成本較高,可靠性不高的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
一種垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu),包括:兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片、預(yù)制基板以及金線,其中,
在所述兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片中,包括一p電極朝上的垂直結(jié)構(gòu)芯片和一n電極朝上的垂直結(jié)構(gòu)芯片;
兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在預(yù)制基板上,朝上的電極通過(guò)焊接金線的方式連接,完成垂直結(jié)構(gòu)芯片的串聯(lián)連接。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板上包括連接兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片電極的連接電路,兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在連接電路的兩端,實(shí)現(xiàn)兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片的串聯(lián)。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板為導(dǎo)電基板,所述兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在預(yù)制基板上,實(shí)現(xiàn)兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片的串聯(lián)。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板為任意形狀的剛性基板。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板中包括兩塊呈預(yù)設(shè)角度的剛性基板,兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片分別焊接在一塊剛性基板上。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板為柔性基板。
本發(fā)明還提供了一種垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)方法,包括:
提供預(yù)制基板;
提供兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片,分別為一p電極朝上的垂直結(jié)構(gòu)芯片和一n電極朝上的垂直結(jié)構(gòu)芯片;
將兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在預(yù)制基板上,朝上的電極通過(guò)焊接金線的方式連接,完成垂直結(jié)構(gòu)芯片的串聯(lián)連接。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板上包括連接兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片電極的連接電路;
在步驟將兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在預(yù)制基板上,具體為:
將兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在連接電路的兩端。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述預(yù)制基板為導(dǎo)電基板;
在步驟將兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在預(yù)制基板上,具體為:
將兩個(gè)垂直結(jié)構(gòu)芯片朝下的電極分別焊接在導(dǎo)電基板上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南昌易美光電科技有限公司,未經(jīng)南昌易美光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711418969.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
- 垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片
- 垂直結(jié)構(gòu)LED芯片集成封裝結(jié)構(gòu)
- 垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片
- 一種垂直結(jié)構(gòu)芯片
- 垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)及串聯(lián)方法
- 垂直結(jié)構(gòu)芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)
- 垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及垂直結(jié)構(gòu)LED芯片單元的制備方法
- 一種垂直LED芯片外延結(jié)構(gòu)和垂直LED芯片
- 垂直LED芯片封裝結(jié)構(gòu)
- 垂直結(jié)構(gòu)LED芯片





