[發(fā)明專利]一種抽樣檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711415466.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108054113B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李磊;嚴(yán)詩(shī)佳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 抽樣 檢測(cè) 方法 | ||
本分發(fā)明提供了一種抽樣檢測(cè)方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的制備中,其中,提供多個(gè)量測(cè)設(shè)備;提供多個(gè)批次的待測(cè)的半導(dǎo)體產(chǎn)品;包括以下步驟:根據(jù)預(yù)設(shè)的設(shè)備評(píng)估規(guī)則獲取關(guān)于總的量測(cè)設(shè)備的第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值;根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)品評(píng)估規(guī)則獲取每一批次的關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)品的第二風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值;將每個(gè)批次半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的第二風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值與第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值進(jìn)行比較,以獲得比較結(jié)果;根據(jù)比較結(jié)果,僅將第二風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值高于第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值的批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品作為檢測(cè)對(duì)象,第二風(fēng)險(xiǎn)值評(píng)估值低于第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品跳過量測(cè)設(shè)備,不進(jìn)量測(cè)設(shè)備檢測(cè)。其技術(shù)方案的有益效果在于,克服了現(xiàn)有技術(shù)中采用的固定抽樣方式并不能真實(shí)的反應(yīng)出產(chǎn)品的質(zhì)量的缺陷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種抽樣檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體產(chǎn)品制備過程中,首先是獲取晶圓,然后在晶圓上經(jīng)過多個(gè)站點(diǎn)分別執(zhí)行多種制程形成半導(dǎo)體產(chǎn)品,其中每個(gè)站點(diǎn)上執(zhí)行的制程對(duì)產(chǎn)品最終的良率都會(huì)造成影響,因此對(duì)于經(jīng)過相關(guān)制程之后的半導(dǎo)體產(chǎn)品都是需要進(jìn)行相關(guān)的量測(cè),根據(jù)量測(cè)結(jié)果判斷半導(dǎo)體產(chǎn)品是否在物理缺陷,進(jìn)而根據(jù)物理缺陷反饋出站點(diǎn)對(duì)應(yīng)的制程是否存在問題,針對(duì)存在問題的站點(diǎn)可針對(duì)性的改進(jìn),以提高制備半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率。
現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品執(zhí)行量測(cè)時(shí),每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)應(yīng)一身份標(biāo)識(shí)碼(lotID),通過抽樣的方式,即隨機(jī)選擇lot ID的尾數(shù),于每一批中選取出尾數(shù)相同的半導(dǎo)體產(chǎn)品執(zhí)行量測(cè),而這種抽樣的量測(cè)方式存在以下缺陷;隨機(jī)性太強(qiáng),可能抽樣出的半導(dǎo)體產(chǎn)品都是良率較高的產(chǎn)品,并不能真實(shí)的反應(yīng)出產(chǎn)品的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中采取的抽樣檢測(cè)的方式對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品執(zhí)行檢測(cè)存在的上述問題,現(xiàn)提供一種旨在評(píng)估出量測(cè)設(shè)備以及半導(dǎo)體產(chǎn)品的風(fēng)險(xiǎn)值,然后根據(jù)兩者風(fēng)險(xiǎn)值的比較結(jié)果,動(dòng)態(tài)選擇出半導(dǎo)體產(chǎn)品執(zhí)行量測(cè)的抽樣檢測(cè)方法
具體技術(shù)方案如下:
一種抽樣檢測(cè)方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的制備中,其中,提供多個(gè)量測(cè)設(shè)備;提供多個(gè)批次的待測(cè)的半導(dǎo)體產(chǎn)品;
包括以下步驟:
步驟S1、根據(jù)預(yù)設(shè)的設(shè)備評(píng)估規(guī)則獲取關(guān)于總的所述量測(cè)設(shè)備的第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值;
步驟S2、根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)品評(píng)估規(guī)則獲取每一批次的關(guān)于所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的第二風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值;
步驟S3、將每個(gè)批次所述半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的所述第二風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值與所述第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值進(jìn)行比較,以獲得比較結(jié)果;
步驟S4、根據(jù)所述比較結(jié)果,僅將所述第二風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值高于所述第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值的批次的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品作為檢測(cè)對(duì)象,所述第二風(fēng)險(xiǎn)值評(píng)估值低于第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品跳所述過量測(cè)設(shè)備,不進(jìn)所述量測(cè)設(shè)備檢測(cè)。
優(yōu)選的,根據(jù)所述設(shè)備評(píng)估規(guī)則獲取所述第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值的方法如下:
S=50t(t=2)
其中,t=N/(A*(S1+S2+……+Sn))
t表示自變量;
S表示第一風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估值;
n表示量測(cè)設(shè)備組包含的量測(cè)設(shè)備數(shù);
S1…Sn表示量測(cè)設(shè)備對(duì)應(yīng)的狀態(tài)值;
A表示量測(cè)設(shè)備組的量測(cè)能力值;
N表示當(dāng)前等待的半導(dǎo)體產(chǎn)品批數(shù)。
優(yōu)選的,每個(gè)所述量測(cè)設(shè)備的狀態(tài)包括兩種狀態(tài):
所述狀態(tài)值為1,表示當(dāng)前的所述量測(cè)設(shè)備為可用狀態(tài);
所述狀態(tài)值為0,表示當(dāng)前的所述量測(cè)設(shè)備為不可用狀態(tài)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
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