[發明專利]一種抽樣檢測方法有效
| 申請號: | 201711415466.8 | 申請日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN108054113B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 李磊;嚴詩佳 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抽樣 檢測 方法 | ||
本分發明提供了一種抽樣檢測方法,應用于半導體產品的制備中,其中,提供多個量測設備;提供多個批次的待測的半導體產品;包括以下步驟:根據預設的設備評估規則獲取關于總的量測設備的第一風險評估值;根據預設的產品評估規則獲取每一批次的關于半導體產品的第二風險評估值;將每個批次半導體產品對應的第二風險評估值與第一風險評估值進行比較,以獲得比較結果;根據比較結果,僅將第二風險評估值高于第一風險評估值的批次的半導體產品作為檢測對象,第二風險值評估值低于第一風險評估值批次的半導體產品跳過量測設備,不進量測設備檢測。其技術方案的有益效果在于,克服了現有技術中采用的固定抽樣方式并不能真實的反應出產品的質量的缺陷。
技術領域
本發明涉及半導體制備技術領域,尤其涉及一種抽樣檢測方法。
背景技術
在半導體產品制備過程中,首先是獲取晶圓,然后在晶圓上經過多個站點分別執行多種制程形成半導體產品,其中每個站點上執行的制程對產品最終的良率都會造成影響,因此對于經過相關制程之后的半導體產品都是需要進行相關的量測,根據量測結果判斷半導體產品是否在物理缺陷,進而根據物理缺陷反饋出站點對應的制程是否存在問題,針對存在問題的站點可針對性的改進,以提高制備半導體產品的良率。
現有技術中對半導體產品執行量測時,每個半導體產品對應一身份標識碼(lotID),通過抽樣的方式,即隨機選擇lot ID的尾數,于每一批中選取出尾數相同的半導體產品執行量測,而這種抽樣的量測方式存在以下缺陷;隨機性太強,可能抽樣出的半導體產品都是良率較高的產品,并不能真實的反應出產品的質量。
發明內容
針對現有技術中采取的抽樣檢測的方式對半導體產品執行檢測存在的上述問題,現提供一種旨在評估出量測設備以及半導體產品的風險值,然后根據兩者風險值的比較結果,動態選擇出半導體產品執行量測的抽樣檢測方法
具體技術方案如下:
一種抽樣檢測方法,應用于半導體產品的制備中,其中,提供多個量測設備;提供多個批次的待測的半導體產品;
包括以下步驟:
步驟S1、根據預設的設備評估規則獲取關于總的所述量測設備的第一風險評估值;
步驟S2、根據預設的產品評估規則獲取每一批次的關于所述半導體產品的第二風險評估值;
步驟S3、將每個批次所述半導體產品對應的所述第二風險評估值與所述第一風險評估值進行比較,以獲得比較結果;
步驟S4、根據所述比較結果,僅將所述第二風險評估值高于所述第一風險評估值的批次的所述半導體產品作為檢測對象,所述第二風險值評估值低于第一風險評估值批次的半導體產品跳所述過量測設備,不進所述量測設備檢測。
優選的,根據所述設備評估規則獲取所述第一風險評估值的方法如下:
S=50t(t=2)
其中,t=N/(A*(S1+S2+……+Sn))
t表示自變量;
S表示第一風險評估值;
n表示量測設備組包含的量測設備數;
S1…Sn表示量測設備對應的狀態值;
A表示量測設備組的量測能力值;
N表示當前等待的半導體產品批數。
優選的,每個所述量測設備的狀態包括兩種狀態:
所述狀態值為1,表示當前的所述量測設備為可用狀態;
所述狀態值為0,表示當前的所述量測設備為不可用狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





