[發(fā)明專利]一種抽樣檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711415466.8 | 申請日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN108054113B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李磊;嚴(yán)詩佳 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 抽樣 檢測 方法 | ||
1.一種抽樣檢測方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的制備中,其特征在于,提供多個量測設(shè)備;提供多個批次的待測的半導(dǎo)體產(chǎn)品;
包括以下步驟:
步驟S1、根據(jù)預(yù)設(shè)的設(shè)備評估規(guī)則獲取關(guān)于總的所述量測設(shè)備的第一風(fēng)險評估值;
步驟S2、根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)品評估規(guī)則獲取每一批次的關(guān)于所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的第二風(fēng)險評估值;
步驟S3、將每個批次的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品對應(yīng)的所述第二風(fēng)險評估值與所述第一風(fēng)險評估值進行比較,以獲得比較結(jié)果;
步驟S4、根據(jù)所述比較結(jié)果,僅將所述第二風(fēng)險評估值高于所述第一風(fēng)險評估值的批次的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品作為檢測對象,所述第二風(fēng)險評估值低于第一風(fēng)險評估值批次的半導(dǎo)體產(chǎn)品跳過所述量測設(shè)備,不進行所述量測設(shè)備檢測;
根據(jù)所述設(shè)備評估規(guī)則獲取所述第一風(fēng)險評估值的方法如下:
S=50t(t=2)
其中,t=N/(A*(S1+S2+……+Sn))
t表示自變量;
S表示第一風(fēng)險評估值;
n表示量測設(shè)備組包含的量測設(shè)備數(shù);
S1…Sn表示量測設(shè)備對應(yīng)的狀態(tài)值;
A表示量測設(shè)備組的量測能力值;
N表示當(dāng)前等待的半導(dǎo)體產(chǎn)品批數(shù);
根據(jù)所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的所述產(chǎn)品評估規(guī)則獲取每一批次的關(guān)于所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的所述第二風(fēng)險評估值的方法如下:
其中,L表示所述第二風(fēng)險評估值;Ri表示產(chǎn)品評估規(guī)則項的分值;Wi表示所述產(chǎn)品評估規(guī)則項對應(yīng)的權(quán)重,i表示產(chǎn)品評估規(guī)則項;
所述半導(dǎo)體產(chǎn)品經(jīng)過多個站點完成其站點對應(yīng)的制程之后,形成待測的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品;
所述產(chǎn)品評估規(guī)則項包括:
每個所述站點定義的超控率;
每個所述站點定期維護后的風(fēng)險產(chǎn)品;
每個關(guān)鍵所述站點的產(chǎn)品間隔預(yù)定時間之后必須量測的半導(dǎo)體產(chǎn)品;
當(dāng)前的制程距離上一次量測的時間間隔;
當(dāng)前的制程在預(yù)定時間段內(nèi)的物理缺陷率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抽樣檢測方法,其特征在于,每個所述量測設(shè)備的狀態(tài)包括兩種狀態(tài):
所述狀態(tài)值為1,表示當(dāng)前的所述量測設(shè)備為可用狀態(tài);
所述狀態(tài)值為0,表示當(dāng)前的所述量測設(shè)備為不可用狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抽樣檢測方法,其特征在于,所述量測設(shè)備的所述量測能力值為所述量測設(shè)備每小時可量測通過所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的數(shù)量的能力。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抽樣檢測方法,其特征在于,所述量測設(shè)備用以量測所述半導(dǎo)體產(chǎn)品存在的物理缺陷,以根據(jù)所述物理缺陷判斷執(zhí)行過的所述制程是否合格。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抽樣檢測方法,其特征在于,所述量測設(shè)備采用動態(tài)監(jiān)控方式判斷對每一批次中的每個所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的所述第二風(fēng)險評估值是否大于所述第一風(fēng)險評估值;
若是,所述量測設(shè)備對當(dāng)前的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品執(zhí)行量測以獲得量測結(jié)果;
若否,則對當(dāng)前的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品跳過量測。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





