[發(fā)明專利]具有密封結(jié)構(gòu)的半導體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711406021.3 | 申請日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN108242429B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | D.博納特 | 申請(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠偉進;杜荔南 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 密封 結(jié)構(gòu) 半導體 裝置 | ||
本發(fā)明公開了具有密封結(jié)構(gòu)的半導體裝置。所公開的是一種半導體裝置。半導體裝置包括:具有第一表面、內(nèi)部區(qū)和邊緣區(qū)的半導體主體,其中邊緣區(qū)圍繞內(nèi)部區(qū);在第一方向上與半導體主體的第一表面間隔開的附連層;布置在半導體主體的第一表面與附連層之間的中間層;以及至少一個第一類型密封結(jié)構(gòu)。密封結(jié)構(gòu)包括第一屏障、第二屏障和第三屏障。第一屏障布置在中間層中并且在第一方向上與附連層間隔開。第二屏障布置在中間層中、在第一方向上與第一表面間隔開、并且在第二方向上與第一屏障間隔開。第三屏障在第二方向上從第一屏障延伸到第二屏障。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開一般地涉及半導體裝置,特別地涉及具有密封結(jié)構(gòu)的半導體裝置。
背景技術(shù)
一些類型的半導體裝置(其還可以稱為半導體芯片)包括半導體主體、在半導體主體的表面的頂部上的具有電氣絕緣層的層堆疊,以及層堆疊的頂部上的附連層。半導體主體可以包括半導體器件(諸如晶體管、二極管等)的有源區(qū)。形成在層堆疊中的導體可以形成集成在半導體主體中的器件之間以及半導體器件與接觸引腳之間的互連。接觸引腳可以用來將芯片連接到另一芯片、負載、電源等。附連層可以用來例如通過焊接來附連另一半導體芯片或一個或多個電子器件。
半導體裝置具有橫向圍繞半導體裝置并且在水平方向上終止半導體裝置的邊緣表面。為了防止雜質(zhì)擴散到半導體主體的有源區(qū)中,半導體裝置可以包括密封結(jié)構(gòu)。密封結(jié)構(gòu)可以完全延伸通過層堆疊,并且包括層堆疊的頂部上的電氣傳導層。合期望的是使附連層與密封結(jié)構(gòu)的傳導層電氣絕緣。
因此需要提供防止雜質(zhì)原子擴散到半導體主體的有源區(qū)中并且基本上不減小可用于實現(xiàn)附連層的區(qū)域的尺寸的密封結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
一個示例涉及半導體裝置。半導體裝置包括:具有第一表面、內(nèi)部區(qū)和邊緣區(qū)的半導體主體,其中邊緣區(qū)圍繞內(nèi)部區(qū);在第一方向上與半導體主體的第一表面間隔開的附連層;布置在半導體主體的第一表面與附連層之間的中間層;以及至少一個第一類型密封結(jié)構(gòu)。密封結(jié)構(gòu)包括第一屏障、第二屏障和第三屏障。第一屏障布置在中間層中并且在第一方向上與附連層間隔開。第二屏障布置在中間層中,在第一方向上與第一表面間隔開,并且在第二方向上與第一屏障間隔開。第三屏障在第二方向上從第一屏障延伸到第二屏障。
附圖說明
以下參考附圖來解釋示例。附圖用來說明某些原理,使得僅圖示對于理解這些原理必要的方面。附圖不是按比例的。在附圖中,相同的參考符號表示相似的特征。
圖1示出根據(jù)一個示例的包括第一類型密封結(jié)構(gòu)的半導體裝置的豎直截面視圖;
圖2示出根據(jù)另一示例的包括第一類型密封結(jié)構(gòu)的半導體裝置的豎直截面視圖;
圖3示出根據(jù)半導體裝置的一個示例的半導體主體的頂部;
圖4更加詳細地示出圖2中所示類型的第一類型密封結(jié)構(gòu)的一個示例;
圖5示出圖4中所示的第一類型密封結(jié)構(gòu)的電氣連接的一個示例;
圖6A和6B分別示出根據(jù)一個示例的半導體裝置的頂視圖和水平截面視圖,所述半導體裝置包括第一類型密封結(jié)構(gòu)、第二類型密封結(jié)構(gòu)和第三類型密封結(jié)構(gòu)。
圖7示出根據(jù)一個示例的第二類型密封結(jié)構(gòu)的豎直截面視圖;
圖8示出根據(jù)一個示例的第三類型密封結(jié)構(gòu)的豎直截面視圖;
圖9示出圖6B中所示類型的半導體裝置中的第一類型密封結(jié)構(gòu)和第三類型密封結(jié)構(gòu)的相鄰區(qū)段和第二類型密封結(jié)構(gòu)的水平截面視圖;
圖10A和10B分別示出根據(jù)另一示例的半導體裝置的頂視圖和水平截面視圖,所述半導體裝置包括第一類型密封結(jié)構(gòu)、第二類型密封結(jié)構(gòu)和第三類型密封結(jié)構(gòu);以及
圖11示出根據(jù)一個示例的附連層的一個區(qū)段的頂視圖。
具體實施方式
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