[發明專利]具有密封結構的半導體裝置

有效

• 申請號: 201711406021.3
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108242429B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: D.博納特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;杜荔南

1.一種半導體裝置，包括：

具有第一表面、內部區和邊緣區的半導體主體，邊緣區圍繞內部區；

在第一方向上與半導體主體的第一表面間隔開的附連層；

布置在半導體主體的第一表面與附連層之間的中間層；以及

至少一個第一類型密封結構，包括：

布置在中間層中并且在第一方向上與附連層間隔開的第一屏障；

布置在中間層中的第二屏障，第二屏障鄰接附連層、在第一方向上與半導體主體的第一表面間隔開、并且在第二方向上與第一屏障間隔開；以及

在第二方向上從第一屏障延伸到第二屏障的第三屏障，

其中所述至少一個第一類型密封結構形成半導體主體的內部區與半導體裝置的邊緣表面之間的屏障以便防止雜質原子經由半導體裝置的邊緣表面向半導體主體的內部區中擴散，

其中第二屏障布置在半導體主體的內部區與第一屏障之間，使得第一屏障比第二屏障更靠近半導體裝置的邊緣表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括布置在溝槽中的第四屏障，所述溝槽從第一表面延伸到半導體主體中，其中第一屏障鄰接第四屏障。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中第四屏障包括電氣傳導第一屏障層，其通過第二屏障層與半導體主體電氣或介電絕緣。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中第一屏障和第二屏障中的每一個是電氣傳導的，并且其中第三屏障是電氣或介電絕緣的。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中第一屏障和第二屏障中的至少一個包括一個在另一個上面堆疊的多個段。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述至少一個第一類型密封結構形成沿著內部區的閉合回路。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括至少一個第二類型密封結構。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述至少一個第二類型密封結構包括：

第一屏障；

布置在溝槽中的附加屏障，所述溝槽從第一表面延伸到半導體主體中；和

中間層的頂部上的電氣傳導層，

其中第一屏障連接到電氣傳導層，

其中第一屏障鄰接附加屏障，

其中電氣傳導層與附連層間隔開。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，還包括布置在第一類型密封結構與第二類型密封結構之間的至少一個第三類型密封結構。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述至少一個第三類型密封結構包括：

第一屏障；

第二屏障；

布置在溝槽中的附加屏障，所述溝槽從第一表面延伸到半導體主體中；和

中間層的頂部上的電氣傳導層，

其中第一屏障連接到電氣傳導層，

其中電氣傳導層與附連層間隔開。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述至少一個第一類型密封結構、所述至少一個第二類型密封結構和所述至少一個第三類型密封結構一起形成閉合回路。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中閉合回路包括一個第一類型密封結構、一個第二類型密封結構和兩個第三類型密封結構。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中閉合回路包括與彼此間隔開的兩個第一類型密封結構、與彼此間隔開的兩個第二類型密封結構、以及四個第三類型密封結構。

14.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中第二類型密封結構和第三類型密封結構中的每一個包括第三屏障。

15.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中第三屏障包括至少一個氮化物層。