[發(fā)明專利]電子部件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711403321.6
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108242321B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 清水典子;荒木建一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01F27/255
• 分類號: H01F27/255;H01F27/28;H01F27/29
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李洋;張豐橋

1.一種電子部件，具有基體、埋設(shè)于所述基體的內(nèi)部導(dǎo)體以及與所述內(nèi)部導(dǎo)體電連接的外部電極而成，其中，

所述基體具有凹部，

所述外部電極的至少局部設(shè)置于所述基體的凹部，

所述電子部件還具有絕緣層，

所述外部電極的至少局部由所述絕緣層覆蓋，

所述外部電極的厚度與所述凹部的深度相同或是小于所述凹部的深度，

所述凹部在所述基體的端面和至少一個側(cè)表面上連續(xù)設(shè)置，

所述外部電極在所述凹部中與所述基體的端面和側(cè)表面連續(xù)設(shè)置，

所述絕緣層覆蓋外部電極地設(shè)置于所述端面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中，

所述絕緣層的折入部的邊界的路徑長度為連接所述路徑的兩端的直線的長度的1.2倍以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述凹部的深度為3μm以上100μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述凹部通過激光照射而形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，

所述凹部通過激光照射而形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中，

所述內(nèi)部導(dǎo)體為線圈導(dǎo)體，

所述基體為磁性體部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子部件，其中，

所述磁性體部由包含金屬材料和樹脂材料的復(fù)合材料形成。