[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711401682.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN108269854B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸鎮(zhèn)成;玉敬喆;韓基林;裵鐘旭;李勝敏;白朱爀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 漢陽大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/34;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

公開了一種薄膜晶體管基板及其制造方法和顯示裝置。所述薄膜晶體管基板可包括：基礎(chǔ)基板；設(shè)置在所述基礎(chǔ)基板上的第一保護(hù)膜；設(shè)置在所述第一保護(hù)膜上的氧化物半導(dǎo)體層；柵極電極，所述柵極電極與所述氧化物半導(dǎo)體層絕緣并且與所述氧化物半導(dǎo)體層的至少一部分部分地交疊；與所述氧化物半導(dǎo)體層連接的源極電極；和漏極電極，所述漏極電極設(shè)置在距所述源極電極預(yù)定間隔處并且與所述氧化物半導(dǎo)體層連接，其中所述氧化物半導(dǎo)體層具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氫含量。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年12月30提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2016-0184512的權(quán)益，通過引用將該專利申請(qǐng)結(jié)合在此，如同在此完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種包括氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管基板及其制造方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

晶體管廣泛用作電學(xué)領(lǐng)域中的開關(guān)器件或驅(qū)動(dòng)器件。尤其是，薄膜晶體管可易于制備在玻璃基板或塑料基板上，由此薄膜晶體管可用作諸如液晶顯示裝置或有機(jī)發(fā)光裝置之類的顯示裝置中的開關(guān)器件。

根據(jù)有源層的材料，薄膜晶體管可大致分為使用非晶硅有源層的非晶硅薄膜晶體管、使用多晶硅有源層的多晶硅薄膜晶體管和使用氧化物半導(dǎo)體有源層的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。

在非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)的情形中，可通過在短時(shí)間內(nèi)沉積非晶硅形成有源層，由此制造時(shí)間相對(duì)較短且制造成本降低。同時(shí)，有源層中的載流子遷移率較低，使得電流驅(qū)動(dòng)能力不佳。此外，由于閾值電壓的變化，非晶硅薄膜晶體管不能用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置(AMOLED)。

在多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)的情形中，沉積非晶硅，然后將其結(jié)晶。制造多晶硅薄膜晶體管的工藝需要非晶硅的結(jié)晶，使得制造成本增加。此外，由于在高溫執(zhí)行結(jié)晶，所以難以將多晶硅薄膜晶體管應(yīng)用于大尺寸裝置。此外，在多晶硅薄膜晶體管中難以確保多晶特性的均勻性。

同時(shí)，在氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的情形中，在低溫形成用于有源層的氧化物層，有源層中的載流子具有較高遷移率，并且氧化物的電阻根據(jù)氧含量而發(fā)生很大變化，由此易于實(shí)現(xiàn)期望的特性。此外，由于氧化物的特性，氧化物半導(dǎo)體是透明的，使得可易于獲得透明顯示裝置。由于這個(gè)原因，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的應(yīng)用引起了很大關(guān)注。這種氧化物半導(dǎo)體可由氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(InZnO)或氧化銦鎵鋅(InGaZnO₄)形成。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[用于改變薄膜的特性的方法]韓國專利申請(qǐng)No.P10-2013-0005931

[薄膜晶體管、其制造方法以及包括薄膜晶體管的電子裝置]韓國專利申請(qǐng)No.P10-2014-0074742

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的實(shí)施方式旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題的薄膜晶體管基板及其制造方法和包括薄膜晶體管基板的顯示裝置。

本發(fā)明實(shí)施方式的一個(gè)方面旨在提供一種通過調(diào)整對(duì)應(yīng)于有源層的氧化物半導(dǎo)體層中的氫含量而具有優(yōu)良電特性的薄膜晶體管基板及其制造方法和包括薄膜晶體管基板的顯示裝置。

在下面的描述中將部分列出本發(fā)明實(shí)施方式的附加優(yōu)點(diǎn)和特征，這些優(yōu)點(diǎn)和特征的一部分根據(jù)下面的解釋對(duì)于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得顯而易見或者可通過本發(fā)明實(shí)施方式的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明實(shí)施方式的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)。