[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法和顯示裝置有效
| 申請號： | 201711401682.7 | 申請日： | 2017-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN108269854B | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 樸鎮成;玉敬喆;韓基林;裵鐘旭;李勝敏;白朱爀 | 申請（專利權）人： | 漢陽大學校產學協力團 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括：
在基礎基板上形成第一保護膜；
在所述第一保護膜上形成氧化物半導體層，其中所述第一保護膜包括按順序沉積的第一硅氧化物層、硅氮化物層及第二硅氧化物層；
形成源極電極和漏極電極，所述源極電極和所述漏極電極彼此以預定間隔設置并且與所述氧化物半導體層連接；
形成柵極電極，所述柵極電極與所述氧化物半導體層絕緣并且與所述氧化物半導體層的至少一部分部分地交疊；以及
在小于350℃的溫度執行熱處理，
其中，所述第一硅氧化物層的厚度小于所述第二硅氧化物層的厚度，
所述氧化物半導體層具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氫含量。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述氧化物半導體層中注入氫。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述氧化物半導體層上形成第二保護膜。
4.根據權利要求3所述的方法，其中所述第一保護膜和所述第二保護膜中的任意一個具有0.7at％～0.8at％的氫含量，并且所述第一保護膜和所述第二保護膜中的另一個具有3.0at％～3.1at％的氫含量。
5.根據權利要求3所述的方法，還包括在形成所述第二保護膜之后執行熱處理。
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