[發(fā)明專利]具有反應(yīng)式離子蝕刻功能的連續(xù)式鍍膜系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711401154.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108048814B | 公開(公告)日: | 2020-01-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉承朋;張倧偉;蘇暉家;劉鎰?wù)\;黃一原 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 凌嘉科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56;C23C14/34;C23C14/02 |
| 代理公司: | 11355 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張雅軍;史瞳 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 反應(yīng)式 離子 蝕刻 功能 連續(xù) 鍍膜 系統(tǒng) | ||
具有反應(yīng)式離子蝕刻(以下稱RIE)功能的連續(xù)式鍍膜系統(tǒng)電連接于電源供應(yīng)器且包含載盤并沿生產(chǎn)方向包含載入腔體、RIE裝置、濺鍍腔體及載出腔體。RIE裝置包括電連接電源供應(yīng)器以于執(zhí)行RIE制程時(shí)作為第一極板用的蝕刻腔體及電漿局限單元。電漿局限單元具有圍繞且連接于蝕刻腔體內(nèi)周緣以與蝕刻腔體共同定義出接地路徑的金屬遮罩。腔體彼此相通且共同定義出輸送通道。載盤電連接于電源供應(yīng)器并于輸送通道中沿生產(chǎn)方向移動(dòng),當(dāng)載盤于執(zhí)行RIE制程時(shí)能作為第二極板用。分別作為第一、二極板用的電漿局限單元與載盤能令載盤于蝕刻腔體中執(zhí)行RIE制程時(shí),經(jīng)電場(chǎng)裂解反應(yīng)式氣體所構(gòu)成的電漿被局限在載盤上方,從而在提升生產(chǎn)效率的前提下解決RIE電場(chǎng)均勻性的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種連續(xù)式(in-line)鍍膜系統(tǒng),特別是涉及一種具有反應(yīng)式離子蝕刻(reactive ion etching;簡(jiǎn)稱RIE)功能的連續(xù)式鍍膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)
干式蝕刻法(dry etching)依其電漿(plasma)模式一般是可被區(qū)分為電漿蝕刻模式(plasma etching mode;簡(jiǎn)稱PE mode)、反應(yīng)式離子蝕刻模式(RIE mode),與感應(yīng)式耦合電漿(inductively coupled plasma;簡(jiǎn)稱ICP)反應(yīng)式離子蝕刻模式(ICP-RIE mode)等多種。目前業(yè)界于in-line鍍膜系統(tǒng)中常結(jié)合PE模式,但是礙于PE模式所構(gòu)成的電漿密度較低,其對(duì)于一待處理工件的離子轟擊(ion bombardment)程度不足;因此,目前只在批次爐(batch type)相關(guān)業(yè)界(也就是,單腔式)偏向使用RIE模式。
基于封裝相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域在實(shí)施其封裝制程時(shí),須考量到脫膜的問題;因此,就現(xiàn)有的RIE模式的干式蝕刻法的相關(guān)應(yīng)用來說,其目的是在于移除掉封裝材料表面所殘留的不易附著的成分(如,氟化物),以借此避免此等不易附著的成分影響到后端的鍍膜制程時(shí)的附著性。此外,就大面積的RIE須考量到的問題,不外乎是電場(chǎng)(electric fiel)的均勻性;因此,在單腔式的RIE設(shè)備的相關(guān)技術(shù)文件中,則可見有美國(guó)第6,506,685 B2授權(quán)號(hào)、第8,360,003 B2授權(quán)號(hào)及第8,465,620 B2授權(quán)號(hào)等專利文件,其多半是在說明利用金屬材質(zhì)的遮蔽物來提升電場(chǎng)的均勻性以令電漿可被局限在待處理工件的表面。
雖然所述美國(guó)授權(quán)的專利文件提供了增加電場(chǎng)均勻性的相關(guān)技術(shù)手段;然而,在講求生產(chǎn)效率的現(xiàn)階段來說,單腔式的RIE設(shè)備始終無法為生產(chǎn)效率帶來大幅度的貢獻(xiàn)。
因此,根據(jù)上述說明可知,在提升生產(chǎn)效率的前提下,解決RIE的電場(chǎng)均勻性的問題,是所屬技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)人員有待解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能提升生產(chǎn)效率并改善RIE的電場(chǎng)均勻性的具有反應(yīng)式離子蝕刻功能的連續(xù)式鍍膜系統(tǒng)。
本發(fā)明的具有反應(yīng)式離子蝕刻功能的連續(xù)式鍍膜系統(tǒng),是電連接于電源供應(yīng)器并包括載盤及輸送機(jī)構(gòu),且沿生產(chǎn)方向還包括載入裝置、反應(yīng)式離子蝕刻裝置、濺鍍裝置,及載出裝置。該載入裝置包括載入腔體。該反應(yīng)式離子蝕刻裝置臨接于該載入裝置,并包括與該載入腔體相通且電連接至該電源供應(yīng)器的蝕刻腔體,及位于該蝕刻腔體內(nèi)的電漿局限單元。該蝕刻腔體于執(zhí)行反應(yīng)式離子蝕刻制程時(shí),是作為該反應(yīng)式離子蝕刻裝置的第一極板用。該電漿局限單元具有一圍繞該蝕刻腔體的內(nèi)周緣的金屬遮罩,且該金屬遮罩連接于該蝕刻腔體以與該蝕刻腔體共同定義出接地路徑。該濺鍍裝置臨接于該反應(yīng)式離子蝕刻裝置,并包括與該蝕刻腔體相通的濺鍍腔體。該載出裝置臨接于該濺鍍裝置,并包括與該濺鍍腔體相通的載出腔體,且該載入腔體、該蝕刻腔體、該濺鍍腔體,及該載出腔體共同定義出輸送通道。該載盤能與該電源供應(yīng)器電連接并能于該輸送通道中沿該生產(chǎn)方向移動(dòng),當(dāng)該載盤位于該蝕刻腔體內(nèi)以執(zhí)行該反應(yīng)式離子蝕刻制程時(shí),能作為該反應(yīng)式離子蝕刻裝置的第二極板用。該輸送機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)單元,及設(shè)置于該輸送通道中并與該驅(qū)動(dòng)單元連接的掣動(dòng)單元。該掣動(dòng)單元受該驅(qū)動(dòng)單元所驅(qū)動(dòng),以帶動(dòng)位于該掣動(dòng)單元上的該載盤能沿該生產(chǎn)方向移動(dòng)。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
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C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
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