[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

有效

• 申請號: 201711401085.4
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108231552B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 福岡哲夫;糸永將司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明在對作為處理對象的基片供給規定的氣體的處理中，適當地檢測異常處理。疏水化處理單元(U5)包括：收納作為處理對象的晶片(W)的處理容器(21)；對處理容器(21)供給空氣(第1空氣)的開閉部(60)(第1供給部)；對處理容器(21)供給相對濕度與空氣不同的HMDS氣體(第2氣體)的氣體供給部(30)(第2供給部)；和控制器(100)(控制部)，控制器(100)基于實施了由開閉部(60)進行的空氣的供給和由氣體供給部(30)進行的HMDS氣體的供給之后的相對濕度，來判斷處理容器(21)中的氣體的狀態。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置和基片處理方法。

背景技術

專利文獻1中公開了對載置于處理容器內的基片的表面供給HMDS(hexamethyldisilazane，六甲基二硅氮烷)氣體來對該基片進行疏水化的基片處理裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-4804號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

在此，在像疏水化處理那樣對作為處理對象的基片供給規定的氣體的處理中，有時難以檢測裝置內的氣體的狀態。

本發明鑒于上述情況，目的在于在對作為處理對象的基片供給規定的氣體的處理中，適當地檢測裝置內的氣體的狀態。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的基片處理裝置包括：收納作為處理對象的基片的處理容器；對處理容器供給第1氣體的第1供給部；對處理容器供給相對濕度與第1氣體不同的第2氣體的第2供給部；和控制部，控制部基于實施了由第1供給部進行的第1氣體的供給和由第2供給部進行的第2氣體的供給之后的相對濕度，來判斷處理容器中的氣體的狀態。

本發明的基片處理裝置，在處理容器內供給相對濕度彼此不同的第1氣體和第2氣體，基于這些氣體供給后的相對濕度，來判斷處理的異常等氣體的狀態。在供給相對濕度彼此不同的氣體的情況下，這些氣體供給后的相對濕度，根據這些氣體的供給比例等決定。因此，通過考慮氣體供給后的相對濕度，能夠檢測例如因某種理由而一方的氣體的供給量增加或減少的情況等，能夠適當地檢測處理容器中的氣體的狀態的變化(處理的異常)。如上所述，根據本發明的基片處理裝置，在對作為處理對象的基片供給規定的氣體的處理中，能夠適當地檢測的氣體的狀態。

也可以還包括測量基片處理裝置內的相對濕度的濕度測量部，控制部還取得由濕度測量部測量出的相對濕度，基于所取得的相對濕度，來判斷處理容器中的處理的異常。由此，能夠可靠且容易地取得基片處理裝置內的相對濕度，更適當地檢測異常處理。

控制部可以將處理容器中的處理正常進行時的相對濕度作為正確數據，將該正確數據與由濕度測量部測量出的相對濕度進行對比，由此來判斷處理的異常。通過使用這種正確數據，能夠高精度且容易地檢測異常處理。

也可以還包括將處理容器內的氣體排出到外部的排氣管，濕度測量部設置于排氣管。通過在排氣管中測量相對濕度，能夠適當地取得包含供給到處理容器內的第1氣體和第2氣體兩者的氣體(第1氣體和第2氣體合流后的氣體)的相對濕度。由此，能夠更適當地檢測異常處理。

還包括測量基片處理裝置內的溫度的溫度測量部，控制部考慮由溫度測量部測量出的溫度，對由濕度測量部測量出的相對濕度的值進行轉換，根據該轉換后的相對濕度來判斷上述處理容器中的處理的異常。相對濕度隨溫度環境變化，通過考慮溫度對相對濕度的值進行轉換，能夠更適當地檢測異常處理。

濕度測量部可以為靜電電容式濕度傳感器。由此，能夠適當地測量相對濕度。