[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

有效

• 申請號: 201711401085.4
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN108231552B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 福岡哲夫;糸永將司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

收納作為處理對象的基片的處理容器；

對所述處理容器供給第1氣體的第1供給部；

對所述處理容器供給相對濕度與所述第1氣體不同的第2氣體的第2供給部；

控制部；和

測量所述基片處理裝置內的相對濕度的濕度測量部，

所述控制部基于實施了由所述第1供給部進行的所述第1氣體的供給和由所述第2供給部進行的所述第2氣體的供給之后的相對濕度，來判斷所述處理容器中的氣體的狀態，

所述控制部還取得由所述濕度測量部測量出的相對濕度，基于所取得的相對濕度，來判斷所述處理容器中的處理的異常，

所述第1供給部供給空氣作為所述第1氣體，

所述第2供給部供給用于所述基片的表面的疏水化的處理氣體作為所述第2氣體。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述控制部，將所述處理容器中的正常地進行了處理時的相對濕度作為正確數據，將該正確數據與由所述濕度測量部測量出的相對濕度進行對比，由此來判斷所述處理容器中的處理的異常。

3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括將所述處理容器內的氣體排出到外部的排氣管，

所述濕度測量部設置于所述排氣管。

4.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括測量所述基片處理裝置內的溫度的溫度測量部，

所述控制部考慮由所述溫度測量部測量出的溫度，對由所述濕度測量部測量出的相對濕度的值進行轉換，根據該轉換后的相對濕度來判斷所述處理容器中的處理的異常。

5.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述濕度測量部是靜電電容式濕度傳感器。

6.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述控制部控制所述第1供給部以使得通過開放所述處理容器來對所述處理容器供給所述空氣，并且控制所述第2供給部以使得在由所述第1供給部進行的所述空氣的供給結束之后供給所述處理氣體。

7.如權利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述控制部取得處理氣體供給濕度，該處理氣體供給濕度為在由所述第2供給部進行的所述處理氣體的供給后由所述濕度測量部測量出的相對濕度，

根據所述處理氣體供給濕度，來判斷所述處理容器中的處理的異常。

8.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括吹掃用氣體供給部，其在由所述第2供給部進行的所述處理氣體的供給后，為了吹掃所述處理氣體而供給相對濕度比所述空氣和所述處理氣體低的吹掃用氣體，

所述控制部還控制所述吹掃用氣體供給部以使得在由所述第2供給部進行的所述處理氣體的供給結束之后供給所述吹掃用氣體。

9.如權利要求8所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述控制部取得吹掃用氣體供給濕度，該吹掃用氣體供給濕度為在由所述吹掃用氣體供給部進行的所述吹掃用氣體的供給后由所述濕度測量部測量出的相對濕度，

根據所述吹掃用氣體供給濕度，來判斷所述處理容器中的處理的異常。

10.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

收納作為處理對象的基片的處理容器；

對所述處理容器供給第1氣體的第1供給部；

對所述處理容器供給相對濕度與所述第1氣體不同的第2氣體的第2供給部；和

控制部，

所述控制部基于實施了由所述第1供給部進行的所述第1氣體的供給和由所述第2供給部進行的所述第2氣體的供給之后的相對濕度，來判斷所述處理容器中的氣體的狀態，

所述控制部基于實施了由所述第1供給部進行的所述第1氣體的供給和由所述第2供給部進行的所述第2氣體的供給之后的相對濕度，來判斷所述處理容器中的氣體的濃度。