[發(fā)明專利]屏蔽組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711399616.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108239765B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金宰煥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TES股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/04
• 分類號(hào): C23C16/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

本發(fā)明涉及一種屏蔽組件。本發(fā)明的屏蔽組件具備：屏蔽，位于基板的上部，形成有預(yù)先確定的圖案；屏蔽框架，支撐所述屏蔽，固定到所述屏蔽的邊緣；以及遮擋框架，安裝到所述屏蔽框架，與所述屏蔽框架的上表面位于同一平面上，或較所述屏蔽框架的上表面位于下方。因此，可相對(duì)性地提高等離子體的密度，改善薄膜的均勻度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種使用在薄膜沉積裝置的屏蔽組件。

背景技術(shù)

為了在基板上沉積物質(zhì)，可利用各種化學(xué)工序。例如，可列舉化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)等方法。

在此情況下，以往技術(shù)的薄膜沉積裝置可使用在腔室的內(nèi)部安裝基板的基板支撐部、向基板供給處理氣體的氣體供給部、為了將沉積的物質(zhì)沉積成預(yù)先確定的圖案而位于基板上部的屏蔽，通過(guò)屏蔽框架固定這種屏蔽。

圖5表示以往技術(shù)的屏蔽100與屏蔽框架20的結(jié)構(gòu)。如圖5所示，屏蔽100是以形成有預(yù)先確定的圖案的狀態(tài)，其邊緣固定到屏蔽框架20。

因此，從上部的氣體供給部400供給的處理氣體經(jīng)由屏蔽100而供給到下部的基板。此時(shí)，遮擋框架30發(fā)揮如下作用：安裝到屏蔽框架20的上表面的邊緣，不使從氣體供給部400供給的處理氣體立即排出而使其長(zhǎng)時(shí)間滯留在基板的邊緣區(qū)域。處理氣體長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)地在基板的邊緣區(qū)域的流動(dòng)，由此可提高沉積到基板的膜的均勻度。

以往技術(shù)在通過(guò)氣體供給部400供給處理氣體而在基板上沉積物質(zhì)的情況下，使氣體供給部400與屏蔽100之間的距離d₁越近，越可期待提高等離子體的密度，改善薄膜的均勻度。因此，在沉積工序中，縮短氣體供給部400與屏蔽100之間的距離d₁較為有利。

然而，如圖5所示，在以往技術(shù)的結(jié)構(gòu)中，遮擋框架30安裝到屏蔽框架20的上表面，因此因遮擋框架30本身的厚度t而難以將氣體供給部400與屏蔽100之間的距離d₁縮小到遮擋框架30的厚度t以下。

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明欲解決的課題]

本發(fā)明的目的在于，為了解決如上所述的問(wèn)題而提供一種可縮小氣體供給部與屏蔽之間的距離來(lái)提高等離子體的密度，改善薄膜的均勻度的屏蔽組件。

[解決課題的手段]

通過(guò)一種屏蔽組件達(dá)成如上所述的本發(fā)明的目的，上述屏蔽組件具備：屏蔽，位于基板的上部，形成有預(yù)先確定的圖案；屏蔽框架，支撐所述屏蔽，固定到所述屏蔽的邊緣；以及遮擋框架，安裝到所述屏蔽框架，與所述屏蔽框架的上表面位于同一平面上，或較所述屏蔽框架的上表面位于下方。

此處，所述屏蔽框架可具備安裝所述遮擋框架的傾斜部。

另外，所述屏蔽框架還可具備導(dǎo)引部，所述導(dǎo)引部從所述傾斜部向上部延伸形成為預(yù)先確定的長(zhǎng)度，在所述遮擋框架安裝到所述傾斜部的情況下進(jìn)行導(dǎo)引。

進(jìn)而，所述遮擋框架可具備與所述傾斜部對(duì)應(yīng)的傾斜面。

另一方面，所述遮擋框架還可具備延伸部，所述延伸部沿邊緣向上部延伸形成為預(yù)先確定的長(zhǎng)度而延長(zhǎng)從氣體供給部供給的處理氣體的滯留時(shí)間。

此時(shí)，所述延伸部可較所述氣體供給部位于外圍。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)具有上述構(gòu)成的本發(fā)明，以與所述屏蔽框架的上表面位于同一面上、或較所述屏蔽框架的上表面位于下方的方式配置遮擋框架而明顯地縮小氣體供給部與屏蔽之間的距離，由此與以往相比，可相對(duì)性地提高等離子體的密度，改善薄膜的均勻度。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例的屏蔽組件的分解立體圖。