[發明專利]一種摻錳的鹵化鉛銫熒光玻璃薄膜的靜電制備方法在審
| 申請號: | 201711399246.0 | 申請日: | 2017-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN108258104A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 向衛東;何美玲;梁曉娟 | 申請(專利權)人: | 溫州大學 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市甌海*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 鹵化 熒光玻璃 量子點 制備 靜電 油酸 氮氣保護條件 玻璃表面 厚度均勻 離心純化 兩塊玻璃 密封隔絕 外界環境 完全溶解 薄膜夾 長久性 抽真空 可溶解 排氣泡 碳酸銫 油酸鹽 正己烷 甲苯 鉛鹽 涂覆 油墨 溶解 | ||
1.一種摻錳的鹵化鉛銫熒光玻璃薄膜的靜電制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)首先將碳酸銫和油酸溶解于1-十八稀中,在氮氣保護條件下得到銫油酸鹽溶液;
(2)然后將MnCl2·(H2O)4和PbX2按比例溶解于十八稀中,最后將第一步制得的銫油酸鹽快速的注入到完全溶解的、溫度范圍為140℃~200℃的摻錳的鹵化鉛鹽溶液中,得到的產物即為Mn-doped CsPbX3量子點;
(3)接著離心純化,量子點可溶解在正己烷中;
(4)將制備好的Mn-doped CsPbX3量子點均勻分布于油墨中,通過勻膠機使其最大化均勻,然后涂覆于玻璃表面形成厚度均勻的一層薄膜,該薄膜夾在兩塊玻璃中間,通過抽真空排氣泡使該薄膜與外界環境密封隔絕,得到摻錳的鹵化鉛銫量子點熒光玻璃薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種摻錳的鹵化鉛銫熒光玻璃薄膜的靜電制備方法,其特征在于,所述Mn-doped CsPbX3量子點為Mn-doped CsPbCl3量子點、Mn-doped CsPb(Cl/Br)3量子點。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于溫州大學,未經溫州大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711399246.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





