[發(fā)明專利]一種集成電路板的清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711397728.2 | 申請日： | 2017-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN108133882A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樊超 | 申請（專利權）人： | 蘇州賽源微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C11D1/722;C11D3/20;C11D3/60 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 韓飛 |
| 地址： | 215011 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路板 集成電路板表面 壓縮空氣 清洗 印制電路板基板 烘箱 集成電路芯片 電子元器件 質量穩(wěn)定性 純水沖洗 緊密排列 清洗效率 污垢清洗 壓縮氣體 清洗液 粘附的 水滴 吹除 鼓泡 烘干 集成電路 滲入 耗時 浸泡 腐蝕 清潔 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成電路板的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：采用壓縮空氣吹除集成電路板表面粘附的灰塵；
步驟2：將集成電路板浸泡于清洗液中5～8min，每間隔2min采用壓縮氣體在所述集成電路板底部鼓泡30s；
步驟3：采用純水沖洗集成電路板，然后采用壓縮空氣吹去集成電路板表面的水滴；
步驟4：采用烘箱將集成電路板烘干；
其中，所述清洗液包括如下重量組份：
2.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟1和步驟3中壓縮空氣的壓力均為0.08～0.15Mpa。
3.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟2中清洗液的溫度維持在35～40℃。
4.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟4的烘干溫度不高于65℃。
5.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟4在氮氣的保護下烘干。
6.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟3中純水的電導率小于0.1us/cm。
7.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟2中的壓縮氣體為壓縮氮氣。
8.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述步驟4的烘箱設置有運風結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
