[發明專利]無電鍍法在審
| 申請號: | 201711394877.3 | 申請日: | 2017-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN108220929A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發明(設計)人: | 羽切義幸 | 申請(專利權)人: | 羅門哈斯電子材料有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C18/26 | 分類號: | C23C18/26;H05K3/18 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳哲鋒;胡嘉倩 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 烷基 個碳原子 襯底 無電鍍 芳基 羥基 羧基 催化劑組合物 抗衡陰離子 烷基取代 無電鍍法 氫原子 合成 | ||
1.一種在襯底上進行無電鍍的方法,包含以下步驟:
(a)使所述襯底與含有以下的組合物接觸:由以下通式(1)表示的化合物
其中R1是具有8到20個碳原子的烷基或具有5到14個碳原子的芳基,所述烷基或所述芳基可被羥基、羧基、鹵素或具有1到4個碳原子的烷基取代,其中如果R1是芳基,那么所述芳基和其取代基的碳原子總數不小于6個,R2、R3和R4各自獨立地是氫原子或具有1到4個碳原子的烷基,R2、R3和R4的烷基可被羥基、羧基或鹵素取代,其中R2、R3和R4中的至少一個可與R1鍵合成環,所述環可含有一個或多個雜原子并且可被羥基、羧基、鹵素或具有1到4個碳原子的烷基取代,所述環和其取代基的碳原子總數不小于8個,X是抗衡陰離子,并且所述由通式(1)表示的化合物的分子量不超過500;或由以下通式(2)表示的化合物:
其中R5是具有8到20個碳原子的烷基,所述烷基可被羥基、羧基、鹵素或具有1到4個碳原子的烷基取代,R6和R7各自獨立地是氫原子或具有1到4個碳原子的烷基,Y是鹵素,并且所述由通式(2)表示的化合物的分子量不超過500;
(b)使所述襯底與催化劑組合物接觸;以及
(c)使所述襯底與無電鍍組合物接觸。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述組合物中所述由通式(1)或(2)表示的化合物的含量是0.1到10g/L。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述無電鍍是無電鍍銅。
4.一種襯底,在其表面的至少一部分上具有通過根據權利要求1所述的方法獲得的金屬膜。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





