[發(fā)明專(zhuān)利]一種壓控振蕩器電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711394141.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107979356B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張寧;王志利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K3/03
• 分類(lèi)號(hào): H03K3/03;H03K3/013;H03L7/099
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種壓控振蕩器電路，包括：

電壓轉(zhuǎn)電流模塊，用于將PLL低通濾波器的輸出的壓控電壓VC轉(zhuǎn)換為與其相關(guān)的電流；

壓控振蕩器，用于在所述電壓轉(zhuǎn)電流模塊產(chǎn)生的電流的控制下改變輸出信號(hào)的頻率；

所述電壓轉(zhuǎn)電流模塊包括：

第一電流鏡，用于產(chǎn)生固定拉電流偏置I0向外輸出以調(diào)整壓控振蕩器的受控范圍；

電壓電流轉(zhuǎn)換單元，用于將所述壓控電壓VC轉(zhuǎn)換為線性灌電流I1；

第二電流鏡,用于將線性灌電流I1轉(zhuǎn)化為拉電流I1向外輸出；

第三電流鏡，將所述第一電流鏡和第二電流鏡輸出的固定拉電流偏置I0和拉電流I1合并產(chǎn)生灌電流I2；

第四電流鏡，用于將所述第三電流鏡產(chǎn)生的灌電流I2轉(zhuǎn)換為拉電流I2向外輸出至所述壓控振蕩器。

2.如權(quán)利要求1所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于，所述第一電流鏡包括參考電流源Iref0、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管、第二PMOS管的源極連接至電源電壓，第一PMOS管的柵極和漏極短接并與參考電流源Iref0的一端和第二PMOS管的柵極相連，所述參考電流源Iref0的另一端接地，所述第二PMOS管的漏極連接至所述第二電流鏡、第三電流鏡。

3.如權(quán)利要求2所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述電壓電流轉(zhuǎn)換單元包括第一NMOS管和第一電阻，所述第一NMOS管漏極接第二電流鏡，柵極接所述壓控電壓VC，源極與第一電阻的一端相連組成節(jié)點(diǎn)VB，所述第一電阻的另一端接地。

4.如權(quán)利要求3所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述第二電流鏡包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述第三PMOS管、第四PMOS管源極接電源電壓，第三PMOS管的柵極和漏極短接并與第一NMOS管的漏極和第四PMOS管的柵極相連，第四PMOS管漏極接所述第二PMOS管漏極與第三電流鏡。

5.如權(quán)利要求4所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述第三電流鏡包括第二電阻、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第二PMOS管和第四PMOS管的漏極接所述第二電阻的一端，第二NMOS管的源極和第三NMOS管的源極接地，第二NMOS管的柵極和漏極短接并與第三NMOS管的柵極相連，第三NMOS管的漏極接所述第四電流鏡。

6.如權(quán)利要求5所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述第四電流鏡包括第五PMOS管和第六PMOS管，所述第五PMOS管和第六PMOS管源極接電源電壓，第五PMOS管的柵極和漏極短接并與第六PMOS管的柵極以及第三NMOS管的漏極相連，第六PMOS管的漏極連接至所述壓控振蕩器。

7.如權(quán)利要求1所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述壓控振蕩器為電流驅(qū)動(dòng)型環(huán)形振蕩器。

8.如權(quán)利要求7所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述壓控振蕩器包括奇數(shù)個(gè)首尾相連的反相器，所述電壓轉(zhuǎn)電流模塊輸出的電流連接至各反相器的電流控制端。

9.如權(quán)利要求6所述的一種壓控振蕩器電路，其特征在于：所述壓控振蕩器包括奇數(shù)個(gè)首尾相連的反相器，所述第六PMOS管的漏極連接至各反相器的電流控制端。